"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
Новиков И.И.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Гордеев Н.Ю.1, Ковш А.Р.1, Жуков А.Е.1, Михрин С.С.1, Малеев Н.А.1, Васильев А.П.1, Устинов В.М.1, Алфёров Ж.И.1, Леденцов Н.Н.1,2, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 27 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до 88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали 2, 5 и 10 слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.
  1. D. Bimgerg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  2. N.N. Ledentsov. IEEE Select. Top. Quant. Electron., 8 (5), 1015 (2002)
  3. O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, Q. Mo, D.G. Deppe. IEEE Phot. Technol. Lett., 12 (9), 1120 (2000)
  4. G.T. Liu, A. Stinz, H. Li, T.C. Newell, A.L. Gray, P.M. Varangis, K.J. Malloy, L.F. Lester. IEEE J. Quant. Electron., 36 (11), 1272 (2000)
  5. O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38 (14), 712 (2002)
  6. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лавшиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36, 1400 (2002).
  7. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shemyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38 (19), 1104 (2002)
  8. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernaykov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 671 (2000)
  9. А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, С.В. Зайцев, Н.Ю. Гордеев, П.С. Копьев, Д. Бимберг, Ж.И. Алфёров. ФТП, 31, 483 (1997)
  10. O. Shchekin, G. Park, D. Huffaker, D. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2002)
  11. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  12. M. Sugawara, K. Mukai, Y. Nakata, H. Ishikawa, A. Sakamoto. Phys. Rev. B, 61, 7595 (2000)
  13. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 36 (10), 1151 (2000)
  14. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyankov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Aflerov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37 (5), 676 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.