"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Старый С.В.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). В кристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. В кристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента Холла RH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.
  1. П.И. Баранский, Ю.Н. Гаврилюк, А.И. Елизаров, В.А. Кулик. ФТП, 11, 1560 (1977)
  2. С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
  3. J.H. Tregigals, T.L. Polgreen, M.C. Chen. J. Cryst. Growth, 88, 460 (1988)
  4. С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.А. Романов, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 23, 85 (1989)
  5. B. Pelliciari, G. Beret. J. Appl. Phys., 62, 3986 (1987)
  6. S. Cole, A.F.W. Willoughby, M. Brown. J. Cryst. Growth, 59, 370 (1988)
  7. M.C. Chen, S.G. Parker, D.F. Weirauch. J. Appl. Phys., 58, 3150 (1985)
  8. Ю.Г. Арапов, Б.Б. Поникаров, И.М. Цидильковский, Н.Г. Шелушинина. ФТП, 13, 695 (1979)
  9. Yu.A. Osipyan, V.F. Petrenko, G.K. Strukova, I.I. Khodos. Phys. St. Sol. (a), 57, 477 (1980)
  10. J.P. Hirth, H. Erenreich. J. Vac. Sci. and Technol., 3, 367 (1985)
  11. W.T. Reed. Phys. Mag., 46, 111 (1955)
  12. V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchrnko, A.I. Elizarov. Phys. St. Sol. (a), 103, 11 (1987)
  13. K.K. Parat, N.R. Taskar, I.B. Bhat, S.K. Ghandhi. J. Cryst. Growth, 102, 413 (1990)
  14. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
  15. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974)
  16. R.L. Petritz. Phys. Rev., 110, 1254 (1958)
  17. L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
  18. А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18, 455 (1984)
  19. M.V. Strikha, F.T. Vasko. J. Phys.: Condens. Matter., 9, 663 (1997)
  20. Л.А. Бовина, В.Н. Стафеев, А.В. Фролов, А.Г. Рубцов. Матер. Всес. сем. " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 218

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.