Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Старый С.В.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). В кристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. В кристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента Холла RH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.
- П.И. Баранский, Ю.Н. Гаврилюк, А.И. Елизаров, В.А. Кулик. ФТП, 11, 1560 (1977)
- С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
- J.H. Tregigals, T.L. Polgreen, M.C. Chen. J. Cryst. Growth, 88, 460 (1988)
- С.Г. Гасан-заде, И.П. Жадько, Э.А. Зинченко, В.А. Романов, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 23, 85 (1989)
- B. Pelliciari, G. Beret. J. Appl. Phys., 62, 3986 (1987)
- S. Cole, A.F.W. Willoughby, M. Brown. J. Cryst. Growth, 59, 370 (1988)
- M.C. Chen, S.G. Parker, D.F. Weirauch. J. Appl. Phys., 58, 3150 (1985)
- Ю.Г. Арапов, Б.Б. Поникаров, И.М. Цидильковский, Н.Г. Шелушинина. ФТП, 13, 695 (1979)
- Yu.A. Osipyan, V.F. Petrenko, G.K. Strukova, I.I. Khodos. Phys. St. Sol. (a), 57, 477 (1980)
- J.P. Hirth, H. Erenreich. J. Vac. Sci. and Technol., 3, 367 (1985)
- W.T. Reed. Phys. Mag., 46, 111 (1955)
- V.I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchrnko, A.I. Elizarov. Phys. St. Sol. (a), 103, 11 (1987)
- K.K. Parat, N.R. Taskar, I.B. Bhat, S.K. Ghandhi. J. Cryst. Growth, 102, 413 (1990)
- В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984)
- Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974)
- R.L. Petritz. Phys. Rev., 110, 1254 (1958)
- L.F. Lou, W.H. Frye. J. Appl. Phys., 56, 2253 (1984)
- А.И. Елизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18, 455 (1984)
- M.V. Strikha, F.T. Vasko. J. Phys.: Condens. Matter., 9, 663 (1997)
- Л.А. Бовина, В.Н. Стафеев, А.В. Фролов, А.Г. Рубцов. Матер. Всес. сем. " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 218
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук