Вышедшие номера
Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHg1-xTe
Гасан-заде С.Г.1, Старый С.В.1, Стриха М.В.1, Шепельский Г.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Генерация даже относительно невысокой плотности дислокаций Ndis=<q 107 см-2 приводит к значительным изменениям кинетических коэффициентов в кристаллах CdxHg1-xTe (x=0.20-0.21). В кристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов происходит существенное уменьшение их подвижности. В кристаллах p-типа в низкотемпературном диапазоне 4.2-40 K наблюдается переход от активационной проводимости к металлической, а также знакопеременное поведение коэффициента Холла RH в зависимости от температуры и магнитного поля. Основную роль в наблюдаемых изменениях играют не непосредственно дислокации, а электронные состояния точечных дефектов, образованных в процессе движения дислокаций. Вся совокупность данных находит свое объяснение в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости противоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки.