Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение констант деформационного потенциала n-Si, p-Si по концентрационному ангармонизму

Скворцов А.А.¹, Литвиненко О.В.¹, Орлов А.М.¹

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен анализ вклада носителей заряда в модуль упругости 4-го порядка beta для кремния n- и p-типов при одноосном растяжении в направлении [110] в приближении малых деформаций. Концентрационное изменение beta измерялось методом спонтанного возбуждения волн Лэмба в изогнутых пластинах разного уровня легирования. По экспериментальным зависимостям определена константа деформационного потенциала зоны проводимости Xi_u=7±1 эВ и усредненное значение деформационного потенциала валентной зоны 4<Phi⁴>=5.6±0.8 эВ при комнатной температуре.

К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: К. Seeger. Semiconductor physics (Springer Verlag, Wien--N. Y., 1973)]
Физическая акустика. Т. IV. Применение физической акустики в квантовой физике и физике твердого тела, под ред. У. Мэзона (М., Мир, 1969). [Пер. с англ.: Physical acoustics. Principles and Methods, ed. by W.P. Mason. V. IV: Applications to quantum and solid state physics (Academic Press, N. Y.--London, 1966)].
Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979)
В.Э. Гусев, А.А. Карабутов. Лазерная оптоакустика (М., Наука, 1991)
К.Е. Никитин. ФТТ, 36, 3587 (1994)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Наука, 1987)
Физическая акустика. Т. III, часть Б: Динамика решетки, под ред. У. Мэзона (М., Мир, 1968). [Пер. с англ., Physical acoustics. Principles and Methods, ed. by W.P. Mason. V. III, Part B: Lattice dynamics (Academic Press, N. Y.--London, 1965)]
А.А. Скворцов, А.М. Орлов, К.Е. Никитин, О.В. Литвиненко. Письма ЖТФ, 21, 82 (2000)
Ю.А. Концевой, Ю.М. Литвинов, Э.А. Фаттахов. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель