"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электронного (зарядового) состояния E-ловушек на эффективность их накопления в n-GaAs при облучении
Брудный В.Н.1, Пешев В.В.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

При высокоэнергетическом радиационном воздействии в интервале 77-580 K выявлена сложная температурная зависимость эффективности накопления E-ловушек в нейтральной области и области пространственного заряда диодов Шоттки на основе n-GaAs при энергиях атомов отдачи, близких к пороговым энергиям образования радиационных дефектов. Количественно экспериментальные данные описаны в рамках модели метастабильной пары Френкеля, в которой учтены процессы аннигиляции, перезарядки и стабилизации пары Френкеля в материале в зависимости от электронного (зарядового) состояния ее компонент, определяемого положением уровня (квазиуровня) Ферми и температурой образца.
  1. Л.С. Смирнов. Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
  2. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18 (20), 3839 (1985)
  3. L.W. Aukerman, R.D. Graft. Phys. Rev., 127, 1576 (1962)
  4. L.W. Aukerman. Semiconductor and semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Bear. 4, 343, Academic Press, N. Y. (1968)
  5. D. Pons. Def. Rad. Effects Semicond. 1980 (Inst. Phys. Conf. N 59, Bristol--London), 269 (1981)
  6. А.П. Мамонтов, В.В. Пешев, И.П. Чернов. ФТП, 16 (12), 2126 (1982)
  7. S.L. Pearton, A.J. Tavendale. Phys. St. Sol. (a), 73, K75 (1982)
  8. А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 19 (1), 147 (1985)
  9. G.K. Wertheim. Phys. Rev., 115 (3), 568 (1959)
  10. J.W. Mackay, E.E. Klontz. In: Rad. Effects Semicond. N.Y. Plenym Press. 175 (1968)
  11. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  12. L.H. Lim, Y.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. Lett., 58, 2315 (1987)
  13. G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. Lett., 55, 1327 (1985)
  14. P. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 38, 7839 (1985)
  15. S. Loualiche, G. Guiillot, A. Nouilhat, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 26 (12), 7090 (1982)
  16. J.W. Corbett, J.C. Bourgoin, W.C. Weigel. Inst. Phys. Conf. Ser. N 16, 1 (1973)
  17. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
  18. D. Pons, J.C. Bruemer. Phys. Rev. Lett., 47, 1293 (1981)
  19. А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 17 (10), 1771 (1983)
  20. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (b), 118 (1), 219 (1990)
  21. D. Stievenard, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B., 33, 8410 (1986)
  22. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988)
  23. H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 2800 (1980)
  24. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B (Amsterdam), 202, 429 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.