"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование фотоемкости диодов из кремния, легированного ванадием
Игамбердиев Х.Т.1, Мамадалимов А.Т.1, Муминов Р.А.1, Усманов Т.А.1, Шоюсупов Ш.А.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Фотоемкостным методом определены уровни ванадия в n- и p-Si. Показано, что в n-Si ванадий создает уровни только в верхней части запрещенной зоны с энергиями ионизации порядка Ec-0.21, Ec-0.52 эВ, в то время как в p-Si --- как в верхней, так и в нижней частях запрещенной зоны: Ec-0.26, Ev+0.31, Ev+0.42, Ev+0.52 эВ. Установлено, что для всех уровней ванадия сечения фотоионизации для электронов больше, чем для дырок. Показано, что концентрация электрически активных центров ванадия в n-Si и p-Si зависит как от концентрации примесей с мелкими уровнями, так и от времени диффузии ванадия в Si.
  1. J.-W. Chen, A.G. Milnes. Ann. Rev. Mater. Schi., 10, 157 (1980)
  2. H. Lemke. Phys. St. Sol. (a), 64 (2), 549 (1981)
  3. H. Lemke. Phys. St. Sol. (a), 75 (1), 473 (1983)
  4. Х.С. Далиев, А.А. Лебедев, Н.А. Султанов, В. Экке. ФТП, 19 (2), 338 (1985)
  5. Г.К. Азимов, С.З. Зайнабидинов, Ю.И. Козлов. ФТП, 23 (10), 1890 (1989)
  6. А.Т. Мамадалимов, А.А. Лебедев, Е.В. Астрова. Спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Ташкент, Университет, 1999)
  7. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров (М., Наука, 1981)
  8. G.V. Lucovsky. Sol. St. Commun. 3, 299 (1965)
  9. А.Т. Мамадалимов, С.С. Кахаров, Ш. Махкамов, П.К. Хабибуллаев. Известия АН УзСССР. Сер. физ.-мат. наук, N 4, 53 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.