Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей
Глауберман М.А.1, Егоров В.В.1, Козел В.В.1, Канищева Н.А.1
1Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Представлена новая точка зрения на магниточувствительность транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей. Показано, что традиционное объяснение этого механизма, основывающееся на отклонении диффузионного потока носителей магнитным полем, существенно некорректно. А именно, ответственный за этот эффект член в уравнении непрерывности обращается в нуль и, таким образом, из традиционной теории следует отсутствие магниточувствительности при отсутствии электрического поля в базе. Этот факт проинтерпретирован физически как циркуляция возбужденных магнитным полем токов вдоль линий уровня в поле концентрации. Предлагаемая теория предполагает задание граничных условий третьего рода на коллекторном переходе вместо условий Дирихле. При этом абсолютная чувствительность определяется разностью концентраций инжектированных нисителей между наиболее удаленными точками коллектора.
- H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 74, 1107 (1986)
- И.М. Митникова, Т.В. Персиянов, Г.И. Рекалова, Г. Штюбнер. ФТП, 12, 48 (1978)
- Lj. Ristic, T. Smy, H.P. Baltes, I. Filanovsky. Proc. IEEE Bipolar Circuits \& Technology Meet (Minneapolis, Minnesota, USA, 1988) p. 199
- Lj. Ristic, M.T. Doan, M. Paranjape. Proc. 32nd Midwest Symp. Circuits and Syst., (N.Y., USA, 1989) v. 2, p. 701
- M.A. Glauberman, V.V. Yegorov, N.A. Kanischeva, V.V. Kozel. Proc. 2nd Int. Smakula Symp. (Ternopol, Ukraine, CIS, 2000) p. 143
- L.W. Davies, M.S. Wells. Proc. IREE Australia, Lune, 235 (1971)
- И.М. Викулин, Н.А. Канищева, М.А. Глауберман. ФТП, 10, 785 (1976)
- Д.М. Козлов, Н.Н. Кузьмина, Т.В. Персиянов, Д.А. Таирова, А.А. Шахов, А.Н. Сахаров. Отчет о НИР, N ГР 0186.0050291, 1988
- R.S. Popovic, R. Widmer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 1134 (1986)
- W. Allegretto, A. Nathan, H.P. Baltes. NASECODE V: Proc. 5th Int. Conf. Number. Anal. Semiconductor Devices and Integr. Circuit (Dublin, Ireland,1987)
- M.G. Guvenc. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 1851 (1988)
- A.W. Vinal, N.A. Masnary. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3, 203 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
