"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование магниточувствительности транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей
Глауберман М.А.1, Егоров В.В.1, Козел В.В.1, Канищева Н.А.1
1Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Представлена новая точка зрения на магниточувствительность транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей. Показано, что традиционное объяснение этого механизма, основывающееся на отклонении диффузионного потока носителей магнитным полем, существенно некорректно. А именно, ответственный за этот эффект член в уравнении непрерывности обращается в нуль и, таким образом, из традиционной теории следует отсутствие магниточувствительности при отсутствии электрического поля в базе. Этот факт проинтерпретирован физически как циркуляция возбужденных магнитным полем токов вдоль линий уровня в поле концентрации. Предлагаемая теория предполагает задание граничных условий третьего рода на коллекторном переходе вместо условий Дирихле. При этом абсолютная чувствительность определяется разностью концентраций инжектированных нисителей между наиболее удаленными точками коллектора.
  1. H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 74, 1107 (1986)
  2. И.М. Митникова, Т.В. Персиянов, Г.И. Рекалова, Г. Штюбнер. ФТП, 12, 48 (1978)
  3. Lj. Ristic, T. Smy, H.P. Baltes, I. Filanovsky. Proc. IEEE Bipolar Circuits \& Technology Meet (Minneapolis, Minnesota, USA, 1988) p. 199
  4. Lj. Ristic, M.T. Doan, M. Paranjape. Proc. 32nd Midwest Symp. Circuits and Syst., (N.Y., USA, 1989) v. 2, p. 701
  5. M.A. Glauberman, V.V. Yegorov, N.A. Kanischeva, V.V. Kozel. Proc. 2nd Int. Smakula Symp. (Ternopol, Ukraine, CIS, 2000) p. 143
  6. L.W. Davies, M.S. Wells. Proc. IREE Australia, Lune, 235 (1971)
  7. И.М. Викулин, Н.А. Канищева, М.А. Глауберман. ФТП, 10, 785 (1976)
  8. Д.М. Козлов, Н.Н. Кузьмина, Т.В. Персиянов, Д.А. Таирова, А.А. Шахов, А.Н. Сахаров. Отчет о НИР, N ГР 0186.0050291, 1988
  9. R.S. Popovic, R. Widmer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-33, 1134 (1986)
  10. W. Allegretto, A. Nathan, H.P. Baltes. NASECODE V: Proc. 5th Int. Conf. Number. Anal. Semiconductor Devices and Integr. Circuit (Dublin, Ireland,1987)
  11. M.G. Guvenc. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 1851 (1988)
  12. A.W. Vinal, N.A. Masnary. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-3, 203 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.