"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пикосекундные высоковольтные дрейфовые диоды на основе арсенида галлия
Рожков А.В.1, Козлов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования динамики восстановления диодов на основе слабо легированных эпитаксиальных слоев. Изученные диоды принадлежат к классу дрейфовых диодов с резким восстановлением и предназначены для работы в схемах формирования и генерирования пикосекундных импульсов. Полученные значения скорости восстановления обратного напряжения (dU/dt~ 2000 В/нс) значительно превосходят предельные скорости восстановления известных нам пикосекундных диодов с накоплением заряда и являются рекордными для дрейфовых диодов с резким восстановлением.4234
  1. И.В. Грехов, В.М. Ефанов, А.Ф. Кардо-Сысоев, С.В. Шендерей. Письма ЖТФ, 9 (7), 435 (1983)
  2. A.F. Kardo-Sysoev. In: Ultra wide Band Rada Technology, ed. by D. Taylor (Baca Raton, London, N.-Y., Washington, D.C. CRC Press, 2001) ch. 9
  3. V.A. Kozlov, I.A. Smirnova, S.A. Moryakova, A.F. Kardo-Sysoev. Proc. 25th Int. Power Modulator Conference PMC 2002 (Hollywood, CA, 2002) p. 441
  4. В.И. Корольков, А.В. Рожков, Л.А. Петропавловская. Письма ЖТФ, 27 (17), 46 (2001)
  5. И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.О. Константинов, Т.П. Самсонова. Письма ЖТФ, 28 (13), 24 (2002)
  6. V.A. Kozlov, I.A. Smirnova, S.A. Moryakova, A.F. Kardo-Sysoev. Book of abstracts of the 13th Int. Conf. CrimMiCo 2003 (Sevastopol, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.