"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и gamma-квантами
Николаев Д.В.1, Антонова И.В.1, Наумова О.В.1, Попов В.П.1, Смагулова С.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 5 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия 2.5 МэВ) и gamma-квантами (энергия 662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания <отсеченный слой кремния>/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах (F>~= 5· 103 В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.
  1. E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS --- Physics and Technology (John Wiley \& Sons, 1982)
  2. K. Watanabe, M. Kato, T. Okabe, N. Nagata. IEEE Trans. Nucl. Sci., 33, 1216 (1986)
  3. S. Cristoloveanu, S.S. Li. Electrical Characterization of Silicon-On-Insulator Materials and Devices (Kluwer Academic Publishers, 1995)
  4. J.P. Colinge. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Publishers, 1997) p. 223
  5. K. Izumi, M. Dokin, H. Ariyoshi. Electron. Lett., 14 (18), 593 (1978)
  6. H.E. Boesch, Jr., T.L. Taylor, L.R. Hite, W.E. Bailey. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1982 (1990)
  7. F.T. Brady, S.S. Li, W.A. Krull. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 1995 (1990)
  8. H.K. Annamalai, J.F. Bockman, N.E. McGruer, J. Chapski. IEEE Trans. Nucl. Sci., 37 (6), 2001 (1990)
  9. W.P. Maszara, G. Goetz, A. Caviglia, J.B. McKitterick. J. Appl. Phys., 64, 4943 (1998)
  10. A.G. Revesz, H.L. Hughes. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, ed. by J.P. Colinge et al. (Kluwer Academic Publishers, 1995) p. 133
  11. R.E. Stahlbush, G.J. Campisi, J.B. McKitterick, W. Maszara, P. Roitman, G.A. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 2086 (1992)
  12. M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
  13. В.П. Попов, И.В. Антонова, Л.В. Миронова, В.Ф. Стась. Патент РФ N 99120527/28(021735) от 28. 09. 99 г
  14. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова. ФТП, 36 (7), 853 (2002)
  15. D. Feijoo, Y.J. Chabal, S.B. Christman. IEEE Int. Conf. Proc. (1994) p. 89
  16. I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectronic Engineering, 48, 383 (1999)
  17. A.N. Nazarov. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, ed. by J.P. Colinge et al. (Kluwer Academic Publishers, 1995) p. 217
  18. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, Л.Н. Софронов, Г.Н. Феофанов, О.В. Наумова, Д.В. Киланов. ФТП, 35 (9), 1078 (2001)
  19. V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 79 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.