"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
Гриняев С.Н.1, Разжувалов А.Н.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. В ограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в 2 раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.
  1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nakahawa, T. Yamada, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., Pt 2, 34, L1332 (1995); А.Ю. Юнович. Светотехника, N 5--6, 2 (1996); R. Dimitrov, L. Wittmer, H.P. Felsl, A. Mitchell, O. Ambacher, M. Stutzmann. Phys. St. Sol. A, 168, R7 (1998)
  2. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt. Phys. Rev. B, 56 (16), R10024 (1997)
  3. V. Fiorentini, F. Bernardini, F.D. Sala, A.D. Carko, P. Lugli. Phys. Rev. B, 60 (12), 8849 (1999)
  4. J. Gleize, J. Frandon, M.A. Renucci, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 63, 073 308 (2001)
  5. C.-H. Chen, K. Krishnamurthy, S. Keller, G. Parish, M. Rodwell, U.K. Mishra, Y.-F. Wu. Electron. Lett., 35, 933 (1999)
  6. С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТТ, 43 (4), 529 (2001)
  7. R. Tsu, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 22 (11), 562 (1973)
  8. F. Bernardini, F. Fiorentini. Phys. Rev. B, 57 (16), R9427 (1998)
  9. H. Wang, A.-B. Chen. J. Appl. Phys., 87 (11), 7859 (2000)
  10. I.H. Campbell, M.D. Joswick, D.L. Smith, R.H. Miles. Appl. Phys. Lett., 66 (8), 988 (1995)
  11. G. Bastard, E.E. Mendez, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 28 (6), 3241 (1983)
  12. Sadao Adachi. J. Appl. Phys., 58 (3), R1 (1985)
  13. E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett., 60 (23), 2426 (1988),

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.