"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Характеристики арсенидгаллиевых структур и приборов Ганна на их основе, изготовленных с применением радиационно-термической технологии
Ардышев М.В.1, Ардышев В.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Ионно-легированные слои создавали имплантацией ионов серы в монокристаллический GaAs, а также в эпитаксиальные пленки GaAs на полуизолирующих подложках с последующим термическим отжигом. Дополнительную радиационную обработку проводили с помощью галогенных ламп (фотонный отжиг). По планарной технологии изготавливали приборы Ганна и интегральные схемы на их основе. Показано, что дополнительная обработка приводит к росту подвижности электронов в слоях за счет снижения концентрации центров рассеяния. Структуры приборов Ганна, подвергнутые фотонному отжигу, характеризуются лучшей однородностью и более высоким значением перепада тока. Слои генерируют близкие к идеальным импульсы тока; отсутствуют эффекты, связанные с захватом на ловушки, а также ударная ионизация.
  1. Дж. Кинг, М.П. Вассе, С.П. Сэндбэнк. В сб.: Арсенид галлия (М., Сов. радио, 1972) с. 224
  2. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  3. В.М. Ардышев, Л.А. Козлова, О.Н. Коротченко, А.П. Мамонтов. А. с. N 235899 от 01.04.86
  4. В.М. Ардышев, Г.И. Айзенштат, Б.С. Азиков, Л.С. Широков. А. с. N 125682 от 03.03.80
  5. Т.Т. Лаврищев, С.С. Хлудков. В сб.: Арсенид галлия (Томск, Изд-во ТГУ, 1974) вып. 5, с. 57
  6. Д. Шоу. Атомная диффузия в полупроводниках (М., Мир, 1975) гл. 6, с. 406. [Пер. с англ.: Atomic Diffusion in Semiconductors, ed. by D. Shaw (London--N. Y., Plenum Press, 1973)]
  7. R. Stratton. J. Phys. Chem. Soc., 23, 1011 (1962)
  8. L.M. Falicot, M. Cuevas. Phys. Rev., 164, 1025 (1967)
  9. L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33, 1817 (1962)
  10. К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках (М., Мир, 1972) гл. 1, с. 97
  11. В.Л. Бонч-Бруевич, С.М. Коган. ФТТ, 1, 1221 (1959)
  12. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 32, 1153 (1998)
  13. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 28 (2000)
  14. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев, С.С. Хлудков. ФТП, 34, 70 (2000)
  15. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 36, 164 (2002)
  16. М.В. Ардышев, В.М. Ардышев. ФТП, 36, 269 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.