"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследования влияния углерода на свойства гетероструктур Si / SiGe
Валах М.Я.1, Джаган В.Н.1, Матвеева Л.А.1, Оберемок А.С.1, Романюк Б.Н.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения и масс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слоя SiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит к почти полной релаксации в нем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений в нижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает в нем концентрацию атомов Si. Низкотемпературная обработка в водородной высокочастотной плазме приводит к значительной релаксации механических напряжений в этом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения и спектроскопии SNMS, коррелируют с данными, полученными методом спектроскопии комбинационного рассеяния света.
  1. A. Cutalans. Sol. St. Commun, 39, 59 (2000)
  2. H. Presting. Thin Sol. Films, 321, 186 (1998)
  3. T.I. Kamins. E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997)
  4. F. Schaffler. Semicon. Sci. Technol., 12, 1515 (1997)
  5. A. Rodriquez, J. Olivares, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, M. Castro, R.M. Gwilliam. Thin Sol. Films, 383, 113 (2001)
  6. S. Mantl, B. Hollander, R. Liedtke, S. Mesters, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instr. a Meth. B, 147, 29 (1999)
  7. N.E.B. Cowern, P.C. Zalm, P. van der Sluis, D.J. Gravestejin, W.D. de Boer. Phys. Rev. Lett., 72, 2585 (1994)
  8. J. Groenen, R. Carles, S. Christiansen, M. Albrecht, W. Dorsch, H.P. Strunk, H. Wawra, G. Wagner. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3856 (1997)
  9. W.J. Brya. Sol. St. Commun., 12, 253 (1973)
  10. M.I. Alonso, K. Winer. Phys. Rev. B, 39 (14), 10 056 (1989)
  11. A.C. De Wilton, M. Simard-Normandin, P.T.T. Wong. J. Electrochem. Soc., 133 (5), 988 (1986)
  12. J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63 (1), 87 (1987)
  13. M.A. Renucci, J.B. Renucci, M. Cardona. Proc. Second Int. Conf. Light scattering in solids" (1971) p. 326
  14. D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.