Исследования влияния углерода на свойства гетероструктур Si / SiGe
Валах М.Я.1, Джаган В.Н.1, Матвеева Л.А.1, Оберемок А.С.1, Романюк Б.Н.1, Юхимчук В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения и масс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слоя SiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит к почти полной релаксации в нем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений в нижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает в нем концентрацию атомов Si. Низкотемпературная обработка в водородной высокочастотной плазме приводит к значительной релаксации механических напряжений в этом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения и спектроскопии SNMS, коррелируют с данными, полученными методом спектроскопии комбинационного рассеяния света.
- A. Cutalans. Sol. St. Commun, 39, 59 (2000)
- H. Presting. Thin Sol. Films, 321, 186 (1998)
- T.I. Kamins. E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997)
- F. Schaffler. Semicon. Sci. Technol., 12, 1515 (1997)
- A. Rodriquez, J. Olivares, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, M. Castro, R.M. Gwilliam. Thin Sol. Films, 383, 113 (2001)
- S. Mantl, B. Hollander, R. Liedtke, S. Mesters, H.J. Herzog, H. Kibbel, T. Hackbarth. Nucl. Instr. a Meth. B, 147, 29 (1999)
- N.E.B. Cowern, P.C. Zalm, P. van der Sluis, D.J. Gravestejin, W.D. de Boer. Phys. Rev. Lett., 72, 2585 (1994)
- J. Groenen, R. Carles, S. Christiansen, M. Albrecht, W. Dorsch, H.P. Strunk, H. Wawra, G. Wagner. Appl. Phys. Lett., 71 (26), 3856 (1997)
- W.J. Brya. Sol. St. Commun., 12, 253 (1973)
- M.I. Alonso, K. Winer. Phys. Rev. B, 39 (14), 10 056 (1989)
- A.C. De Wilton, M. Simard-Normandin, P.T.T. Wong. J. Electrochem. Soc., 133 (5), 988 (1986)
- J. Takahashi, T. Makino. J. Appl. Phys., 63 (1), 87 (1987)
- M.A. Renucci, J.B. Renucci, M. Cardona. Proc. Second Int. Conf. Light scattering in solids" (1971) p. 326
- D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук