Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей и тыльной сторон подложки монокристаллического GaAs

Алалыкин А.С.¹, Крылов П.Н.¹, Федотова И.В.¹, Федотов А.Б.²

¹Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия Udmurt State University, Izhevsk, Russia

²Нижегородский государственный технический университет, Нижний Новгород, Россия

Поступила в редакцию: 10 июля 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей и тыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических и фотоэлектрических свойств облучаемых и необлучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов в глубь кристалла.

П.В. Павлов, В.И. Пашков, В.М. Генкин, Г.В. Камаева, В.П. Никишин, Ю.Н. Огарков, Г.И. Успенская. ФТТ, 15 (9), 2857 (1973)
В.А. Пантелеев, В.В. Черняховский, С.Н. Ершов. ФТТ, 16 (7), 2151 (1974)
Т.И. Кольченко, В.М. Ламако, И.Е. Марончук. ФТП, 15 (3), 580 (1981)
А.С. Алалыкин, А.А. Краснов, П.Н. Крылов, А.А. Стерхов, Ю.В. Рац. Тр. IX Межнац, совещ. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1999) с. 132
А.С. Акашкин, В.В. Бесогонов, В.М. Ветошкин, В.Ф. Кобзиев, П.Н. Крылов. Вакуумная техника и технология, 9 (2), 17 (1999)
Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович. ФТП, 17 (7), 1302 (1983)
Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения A^IIIB^V), пер. с англ. под ред. Гросса (М., Мир, 1970)
Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович, А.Н. Савинов. Изв. вузов СССР. Физика, 12, 84 (1984)
Б.И. Бедный, С.Н. Ершов, В.А. Пантелеев. ФТП, 19 (10), 1806 (1985)
Б.Я. Любов. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах (М., Наука, 1981) с. 295
Дж. Маннинг. Кинетика диффузии атомов в кристаллах (М., Мир, 1972)
С.А. Медведев. Введение в технологию полупроводниковых материалов. Учеб. пособие для специальности "Полупроводники и диэлектрики" вузов (М., Высш. шк., 1970)
K. Saarinen, A.P. Seitsonen, P. Hautojarvi, C. Corbel. Phys. Rev. B, 52 (15), 10 932 (2002)
В.П. Кладько, Т.Г. Крыштаб, Ю.С. Клейнфельд, Г.Н. Семенова, Л.С. Хазан. ФТП, 26 (2), 368 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель