Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe : V
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 6 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.
Исследованы генерационно-рекомбинационные токи в поверхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания и сечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию-рекомбинацию в используемых монокристаллах.
- Y. Eisen. Nucl. Instr. a. Meth. A, 322, 596 (1992)
- E.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instr. a. Methods. A, 458, 214 (1992)
- Y. Marfaing. J. Cryst. Growth., 197, 707 (1999)
- A. Zerrai, G. Marrakchi, G. Bremond et al. Nucl. Instr. a. Meth. A, 161, 264 (1996)
- A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
- A. Zumbiehl, P. Fougeres, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert, A. Zerrai, K. Cherkaoui, G. Marrakchi, G. Bremond. J. Cryst. Growth., 197, 670 (1999)
- C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- Л.А. Косяченко, В.П. Махний, И.В. Потыкевич. Укр. физ. журн., 23, 279 (1978)
- Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова. ФТП, 36, 1480 (2002)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
