"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe : V
Косяченко Л.А.1, Паранчич С.Ю.1, Танасюк Ю.В.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1, Маслянчук Е.Л.1, Мотущук В.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 6 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы генерационно-рекомбинационные токи в поверхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания и сечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию--рекомбинацию в используемых монокристаллах.
  1. Y. Eisen. Nucl. Instr. a. Meth. A, 322, 596 (1992)
  2. E.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instr. a. Methods. A, 458, 214 (1992)
  3. Y. Marfaing. J. Cryst. Growth., 197, 707 (1999)
  4. A. Zerrai, G. Marrakchi, G. Bremond et al. Nucl. Instr. a. Meth. A, 161, 264 (1996)
  5. A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
  6. A. Zumbiehl, P. Fougeres, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert, A. Zerrai, K. Cherkaoui, G. Marrakchi, G. Bremond. J. Cryst. Growth., 197, 670 (1999)
  7. C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  8. Л.А. Косяченко, В.П. Махний, И.В. Потыкевич. Укр. физ. журн., 23, 279 (1978)
  9. Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова. ФТП, 36, 1480 (2002)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.