"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Генерационно-рекомбинационные центры в CdTe : V
Косяченко Л.А.1, Паранчич С.Ю.1, Танасюк Ю.В.1, Склярчук В.М.1, Склярчук Е.Ф.1, Маслянчук Е.Л.1, Мотущук В.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 6 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Исследованы генерационно-рекомбинационные токи в поверхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания и сечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию--рекомбинацию в используемых монокристаллах.
  • Y. Eisen. Nucl. Instr. a. Meth. A, 322, 596 (1992)
  • E.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instr. a. Methods. A, 458, 214 (1992)
  • Y. Marfaing. J. Cryst. Growth., 197, 707 (1999)
  • A. Zerrai, G. Marrakchi, G. Bremond et al. Nucl. Instr. a. Meth. A, 161, 264 (1996)
  • A. Castaldini, A. Cavallini, B. Fraboni, P. Fernandez, J. Piqueras. J. Appl. Phys., 83, 2121 (1998)
  • A. Zumbiehl, P. Fougeres, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert, A. Zerrai, K. Cherkaoui, G. Marrakchi, G. Bremond. J. Cryst. Growth., 197, 670 (1999)
  • C. Sah, R. Noyce, W. Shokley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  • Л.А. Косяченко, В.П. Махний, И.В. Потыкевич. Укр. физ. журн., 23, 279 (1978)
  • Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, З.И. Захарук, В.М. Склярчук, Е.Ф. Склярчук, И.В. Солончук, И.С. Кабанова. ФТП, 36, 1480 (2002)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.