"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения
Медведева Н.И.1, Юрьева Э.И.1, Ивановский А.Л.1
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов ( M= Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti-> Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M-> Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M->Si, C).
  1. S.A. Reshanov. Diamond. Relat. Mater., 9, 480 (2000)
  2. R. Alexandrescu, E. Borsella, S. Botti, M. Cesile, S. Martelli, R. Giorgi, S. Turtu, G. Zappa. J. Mater. Sci., 32, 5629 (1997)
  3. Y.T. Pei, J.H. Ouyang, T.C. Lei, Y. Zhou. Mater. Sci. Eng. A: Struct. Mater. Prop. Microstruct. Processing, 194, 219 (1995)
  4. Y.Q. Zhu, W.B. Hu, W.K. Hsu, M. Terrones, N. Grobert, J.P. Hare, H.W. Kroto, D.R.M. Walton, H. Terrones. J. Mater. Chem., 9, 3173 (1999)
  5. N.T. Son, A. Ellison, B. Magnusson, M.F. MacMillan, W.M. Chen, B. Monemar, E. Janzen. J. Appl. Phys., 86, 4348 (1999)
  6. N. Theodoropoulou, A.F. Hebart, S.N.G. Chu, M.E. Oveberg, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.G. Wilson, J.M. Zavaga. Electrochem. Sol. St. Lett., 4, G119 (2001)
  7. Р.Ф. Сабирянов, А.Л. Ивановский, Г.П. Швейкин. Журн. неорган. химии, 38, 1572 (1993)
  8. H. Overhof. Mater. Sci. Forum, 258, 677 (1997)
  9. K.O. Barbosa, W.V.M. Machado, L.V.C. Assali. Physica B, 308--310, 726 (2001)
  10. Н.И. Медведева, Ж.И. Гертнер, В.В. Красковская, В.М. Жуковский, А.Л. Ивановский, Г.П. Швейкин. Неорг. матер., 31, 55 (1995)
  11. V.A. Gubanov, C. Boekema, C.Y. Fong. Appl. Phys. Lett., 78, 216 (2001)
  12. Н.И. Медведева, Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. ФТП, 36, 805 (2002)
  13. Э.И. Юрьева, А.Л. Ивановский. ЖСХ, 43, 220 (2002)
  14. M. Methfessel, M. Scheffler. Physica B, 172, 175 (1991)
  15. S.H. Vosko, L. Wilk, M. Nusair. Canadian J. Phys., 58, 1200 (1980)
  16. W.B. Pearson Crystal Chemistry and Physics of Metals and Alloys (Wiley, 1972)
  17. A.R. Lubinsky, D.E. Ellis, G.S. Painter. Phys. Rev. B, 11, 1537 (1975)
  18. K.J. Chang, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 35, 8196 (1987)
  19. M. Causa, R. Dovesi, C. Roetti. Phys. Rev. B, 43, 937 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.