Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda=1.55 мкм)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего квантового выхода стимулированного излучения лазерных диодов на основе двойных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения (lambda=1.5-1.6 мкм). Лазерные гетероструктуры с различным дизайном волноводного слоя изготавливались методом МОС-гидридной эпитаксии. Максимальное значение внутреннего квантового выхода стимулированного излучения etaist~ 97% было достигнуто в структуре с двойным ступенчатым волноводом, характеризующейся минимальными утечками в p-эмиттер за порогом генерации. Высокое значение etaist обусловлено низкими пороговой концентрацией и концентрацией неравновесных носителей на границе волновод p-эмиттер. Расчет значений etaist для исследуемых лазеров дал хорошее согласие с данными, полученными из эксперимента.
- А.Ю. Лешко, Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
- Д.З. Гарбузов, А.В. Овчинников, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 25 (5), 928 (1991)
- D.A. Livshits, I.V. Kochnev, V.M. Lantratov, N.N. Ledentsov, T.A. Naloyt, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 36 (22), 1848 (2000)
- Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, Д.А. Лившиц, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (20), 40 (2000)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
- L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (Wiley Publication, N.Y. 1995)
- L.V. Asryan, N.A. Gun'ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris, Pey-Kee Lay, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15, 1131 (2000)
- Г.Г. Зегря, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, С.О. Слипченко, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 8 (2001)
- А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
- H. Hirayama, J. Yoshida, Y. Miyake, M. Asada. Appl. Phys. Lett., 61 (20), 2398 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
