Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2003, выпуск 12 » Статья стр. 1449
<<<>>>
Фотонные кристаллы на основе композитов опал-GaP и опал-GaPN: получение и оптические свойства
Гаджиев Г.М.1, Голубев В.Г.2, Заморянская М.В.2, Курдюков Д.А.2, Медведев А.В.2, Merz J.3, Mintairov A.3, Певцов А.Б.2, Селькин А.В.2, Травников В.В.2, Шаренкова Н.В.2
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Поступила в редакцию: 22 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
PDF версия
В порах искусственных опалов синтезированы нанокристаллический GaP и аморфный твердый раствор GaPN. Полученные композиты опал-GaP и опал-GaPN обладают выраженными фотонно-кристаллическими свойствами. В спектрах отражения композита опал-GaPN наблюдаются особенности, связанные с множественным характером брэгговской дифракции на двух системах кристаллографических плоскостей 111, параллельных и непараллельных поверхности фотонного кристалла. Исследованы спектры фотолюминесценции синтезированных композитов. Обнаружена заметная модификация полосы излучения композита опал-GaPN, обусловленная влиянием фотонной запрещенной зоны.
  1. Photonic Crystals and Light Localization in the 21st Century, ed. by C.M. Soukoulis (Dordrecht, Kluwer, 2001)
  2. K. Bush, S. John. Phys. Rev. E, 58, 3896 (1998)
  3. S.G. Romanov, R.M. De La Rue, H.M. Yates, M.E. Pemble. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 339 (2000)
  4. Yu. Davydov, V.G. Golubev, N.F. Kartenko, D.A. Kyrdyukov, A.B. Pevtsov, S.M. Samoilovich, N.V. Sharenkova, P. Brogueira, R. Schwarz. Nanotechnology, 11, 291 (2000)
  5. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN based Light Emitters and Lasers (Berlin, Springer, 1997)
  6. C.W. Tu. J. Phys. Condens. Matter, 13, 7169 (2001)
  7. E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett., 58, 2059 (1987)
  8. В.Г. Голубев, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП, 35, 710 (2001); V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, E.B. Shadrin. Appl. Phys. Lett., 79, 2127 (2001); G. Gajiev, V.G. Golubev, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin, V.V. Travnikov. Phys. St. Sol. (b), 231 (1), R7 (2002)
  9. V.G. Golubev, A.V. Il'inskii, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, A.V. Sel'kin, E.B. Shadrin. Abstracts 10th Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technologies" (St. Petersburg, 2002) p. 108
  10. Г. Гаджиев, В.Г. Голубев, В.Ю. Давыдов, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, В.В. Травников. Сб. тр. III межд. конф. "Аморфные и микроскристаллические полупроводники" (СПб., 2002) с. 9; A.B. Pevtsov, V.G. Golubev, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.V. Sel'kin, V.V. Travnikov, J. Merz, A. Mintairov. Abstracts MRS Fall Meeting (Boston, USA, 2002) p. 361; G. Gajiev, V.G. Golobev, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, V.V. Travnikov. Abstracts 10th Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technologies" (St. Petersburg, 2002) p. 134
  11. W.G. Bi, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 69, 3710 (1996)
  12. В.А. Рабинович, З.Я. Хавин. Краткий химический справочник (Л., Химия, Ленингр. отд-ние, 1977)
  13. H.M. van Driel, W.L. Vos. Phys. Rev. B, 62, 9872 (2000)
  14. A. Reynolds, F. Lopez-Tejeira, D. Cassagne, F.J. Garcya-Vidal, C. Jouanin, J. Sanchez-Dehesa. Phys. Rev. B, 60, 11 422 (1999)
  15. G. Yu, G. Wang, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Soga, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 70, 3209 (1997)
  16. R.C. Schroden, M. Al-Daous, A. Stein. Chem. Mater., 13, 2945 (2001)
  17. S.G. Romanov, A.V. Fokin, R.M. De La Rue. Appl. Phys. Lett., 74, 1821 (1999)
  18. M.A. Stevens Kalceff. Phys. Rev. B, 57, 5674 (1998)
  19. А.А. Андреев. ФТТ, 45, 395 (2003)
  20. S. Miyoshi, K. Onabe. Jap. J. Appl. Phys., 37, pt 1, 4680 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme