"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция при комнатной температуре в диапазоне 1.5-1.6 мкм от наногетероструктур InGaAs / GaAs, выращенных при низкой температуре подложки
Тонких А.А.1,2, Цырлин Г.Э.1,2, Талалаев В.Г.3,2, Новиков Б.В.3, Егоров В.А.1,2, Поляков Н.К.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2, Устинов В.М.1, Zakharov N.D.4, Werner P.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle Weinberg 2, Halle, Germany
Поступила в редакцию: 23 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции исследовались гетероструктуры с квантовыми точками и квантовыми ямами In(Ga)As / GaAs, выращенные при низкой температуре подложки. Показано, что осажденный при низкой температуре на поверхность GaAs (100) арсенид индия формирует двумерные кластеры, состоящие из отдельных квантовых точек. В оптических спектрах структур, содержащих подобные кластеры, возникает излучение в диапазоне длин волн 1.5-1.6 мкм.
  1. N.M. Margalit, Sh.Z. Zhang, J.E. Bowers. IEEE Topics in Lightwave, 5, 164 (1997)
  2. Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, А.В. Лунев, А.В. Сахаров, Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 33 (5), 629 (1999)
  3. Y.F. Li, X.L. Ye, B. Xu, F.Q. Liu, D. Ding, W.H. Jiang, Z.Z. Sun, Y.C. Zhang, H.Y. Liu, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 218, 451 (2000)
  4. J.C. Harmand, G. Ungaro, J. Ramos, E.V.K. Rao, Saint-Girons, R. Teissier, Le Roux, L. Largeau, G. Patriarche. J. Cryst. Growth, 227--228, 553 (2001)
  5. H. Shen, J. Pamulapati, M. Taysing, M.C. Wood, R.T. Lareau, M.H. Ervin, J.D. Mackenzie, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, F. Ren, J.M. Zavada. Sol. St. Electron., 43, 1231 (1999)
  6. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алфёров. ФТП, 36 (11), 1400 (2002)
  7. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29 (10), 77 (2003)
  8. В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, В.В. Мамутин, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (22), 82 (2002)
  9. M. Sopanen, H.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 994 (2000).
  10. L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. In: Proc. Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range (2003) p. 49
  11. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Bert, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, I.P. Soshnikov, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 75 (16), 2347 (1999)
  12. А.Е. Жуков, Б.В. Воловик, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.Ф. Цацульников, Е.В. Никитина, И.Н. Каяндер, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма ЖТФ, 27 (17), 51 (2001)
  13. А.А. Тонких, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 28 (10), 72 (2002)
  14. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, Y.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  15. I. Hapke-Wurst, U. Zeitler, H.W. Schumacher, R.J. Haug, K. Pierz, F.J. Ahlers. Semicond. Sci. Technol., 14, L41 (1999)
  16. Н.А. Черкашин, М.В. Максимов, А.Г. Макаров, В.А. Щукин, В.М. Устинов, Н.В. Луковская, Ю.Г. Мусихин, Ж.Е. Цырлин, Н.А. Берт, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37 (7), 120 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.