Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs
Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Ковш А.Р.1, Михрин С.С.1, Семенова Е.С.1, Егоров А.Ю.1, Одноблюдов В.А.1, Малеев Н.А.1, Никитина Е.В.1, Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2003 г.
Сообщается о реализации лазерной генерации на длине волны 1488-1515 нм в диапазоне температур 20-83oC в структурах с активной областью на основе многослойных массивов самоорганизующихся квантовых точек, выращенных на подложках GaAs. В лазере с четырьмя сколотыми гранями пороговая плотность тока составила 800 А/см2 при комнатной температуре. Метод увеличения длины волны основан на использовании метаморфного переходного слоя с содержанием индия около 20%, предназначенного для релаксации напряжения рассогласования.
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
- A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Yu.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Physica E, 17, 589 (2003)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
- V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, V.I. Kopchatov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, D. Bimberg. Electron. Lett., 34, 670 (1998)
- А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Ю.М. Шерняков, Ю.Г. Мусихин, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов В.М. Устинов, Ж.И. Алферов. ФТП, 9, 1143 (2003)
- K. Otsubo, Y. Nishijima, H. Ishikawa. FUJITSU Sci. Technol. J., 34, 212 (1998)
- M. Fischer, D. Gollub, S. Moses, M. Muller, M. Kamp, A. Forchel. Abstract Book Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range, April 24--26, 2003 (Wroclaw, Poland) p. 48
- L.H. Li, V. Sallet, G. Patriarche, L. Largeau, S. Bouchoule, K. Merghem, L. Travers, J.C. Harmand. Abctract Book Int. Workshop on GaAs Based Lasers for 1.3--1.5 mum Wavelength Range, April 24--26, 2003 (Wroclaw, Poland) p. 49
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
