"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства пленок ZnO, легированных акцепторными примесями Cu и Ag
Грузинцев А.Н.1, Волков В.Т.1, Якимов Е.Е.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Исследовано влияние на люминесценцию и фотопроводимость пленок оксида цинка легирования акцепторными примесями Cu и Ag с различной концентрацией 1, 3 и 5 ат%. Методом электронно-лучевого испарения при оптимальных режимах получены пленки с преобладанием люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что внедрение меди дает три типа точечных дефектов в ZnO: CuZn(3d10); CuZn(3d9) и Cui, а серебра --- один тип: AgZn(3d10). Обнаружено выделение фазы оксида серебра при максимальной концентрации примеси. Внедрение примеси приводит к резкому возрастанию сопротивления и фоточувствительности пленок.
  1. T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Jap. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999)
  2. M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 38, L1205 (1999).
  3. K. Minegishi, Y. Kowai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu. Jap. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997)
  4. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, М.О. Воробьев. ФТП, 36 (3), 205 (2002). [Semiconductors, 36 (3), 265 (2002)]
  5. X. Guo, H. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Jap. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
  6. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 205 (2001)
  7. А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, И.И. Ходос, Т.В. Никифорова, М.Н. Ковальчук. Микроэлектроника, 31, 202 (2002)
  8. А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Л.Н. Матвеева. Микроэлектроника, 31, 211 (2002)
  9. M. Aven, J.S. Prener. Physics and chemistry of II--VI compounds (North-Holland PC, Amsterdam, 1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.