Представлены результаты измерений спектров пропускания и отражения света в области прозрачности полупроводниковых кристаллов Hg₃In₂Te₆<Gd>. Показано, что во всем исследованном диапазоне длин волн 2-25 мкм легирование приводит к увеличению сплошного бесструктурного поглощения на примесях и дефектах, создающих в запрещенной зоне квазинепрерывный спектр локализованных состояний. Уменьшение прозрачности сопровождается понижением коэффициента отражения, не зависящего от длины волны. Изменение показателя преломления объясняется изменением характера связи и величины электронной поляризации кристаллов Hg₃In₂Te₆<Gd>. Установлена линейная зависимость изменения поляризационных констант от напряженности внутренних полей, существующих вблизи примесных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.