"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние примеси гадолиния на прозрачность и отражательную способность кристаллов Hg3In2Te6
Горлей П.М.1, Грушка О.Г.1, Грушка З.М.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Представлены результаты измерений спектров пропускания и отражения света в области прозрачности полупроводниковых кристаллов Hg3In2Te6<Gd>. Показано, что во всем исследованном диапазоне длин волн 2--25 мкм легирование приводит к увеличению сплошного бесструктурного поглощения на примесях и дефектах, создающих в запрещенной зоне квазинепрерывный спектр локализованных состояний. Уменьшение прозрачности сопровождается понижением коэффициента отражения, не зависящего от длины волны. Изменение показателя преломления объясняется изменением характера связи и величины электронной поляризации кристаллов Hg3In2Te6<Gd>. Установлена линейная зависимость изменения поляризационных констант от напряженности внутренних полей, существующих вблизи примесных дефектов.
  1. А. Меден, А. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  2. Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
  3. G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Adv. Mater., 4 (1), 36 (1997)
  4. О.Г. Грушка, П.М. Горлей, А.В. Бесценный, З.М. Грушка. ФТП, 34 (10), 1197 (2000)
  5. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  6. И.С. Желудев. Физика кристаллических диэлектриков (М., Наука, 1968)
  7. В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер. Электронная теория неупорядоченных полупроводников (М., Наука, 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.