"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника по квазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДП структуры
Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Совместный анализ производных C'V(Vg) экспериментальной и идеальной квазистатических вольт-фарадных характеристик, представленных в зависимости от нормированной дифференциальной емкости МДП структуры VV(Vg), позволяет идентифицировать в пределах энергетической щели полупроводника Eg области, в которых практически отсутствуют пограничные состояния и в которых легко установить связь между поверхностным потенциалом psiS реального полупроводника и приложенным к МДП структуре напряжением Vg. Это позволяет достаточно точно определять аддитивные постоянные psiS0(Vg0), необходимые для расчета зависимости psiS(Vg) во всем диапазоне изменений Vg путем численного интегрирования экспериментальной квазистатистической вольт-фарадной характеристики. Сопоставление этой зависимости с идеальной детально характеризует интегральные электронные свойства гетерограницы полупроводник--диэлектрик: усредненную по Eg плотность пограничных состояний, качественный характер их распределения по ширине щели, напряжение плоских зон VFB и его компоненты, обусловленные фиксированным зарядом в подзатворном диэлектрике и зарядом, локализованным на пограничных состояниях. Высокая точность регистрации VFB обеспечивает обнаружение даже слабого "физического" отклика МДП структур на внешние воздействия или на вариации технологии формирования гетерограницы. Приводятся результаты такого рода анализа для типичной гетерограницы SiO2/Si n-Si-МОП структуры. Отмечается перспективность применения диаграмм C'V-CV для анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик.
  1. E.H. Nicilian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physical and Technology (N.Y., John Willey @ Sons, 1982)
  2. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  3. H. Watanabe, T. Baba, M. Ichikawa. J. Appl. Phys., 85, 6704 (1999)
  4. E.M. Vogel, M.D. Edelstein, J.S. Suechle. J. Appl. Phys., 90, 2338 (2001)
  5. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  6. C.N. Berglund. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-13, 701 (1966)
  7. V. Kuhn. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
  8. G. Declerk, R. VAN Overstraeten, G. Broux. Sol. St. Electron., 16, 1451 (1973)
  9. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  10. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 1, 1 (2002)
  11. В.Г. Приходько. Автореф. канд. дис. (М., 1982)
  12. А.Г. Ждан, В.Г. Приходько. ФТП, 17, 690 (1983)
  13. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 31, 1468 (1997)
  14. E.I. Goldman, A.G. Zhdan, G.V. Chucheva. J. Appl. Phys., 89, 130 (2001)
  15. J. Kwo, M. Hong, A.R. Kortan et al. J. Appl. Phys., 89, 3920 (2001)
  16. R.S. Johnson, J.G. Hong, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1606 (2001)
  17. R. Sharma, J.L. Fretwell, T. Ndai, S. Banerjee. J. Vac. Sci. Technol. B, 17, 460 (1999)
  18. R. Wetzler, A. Wacker, E. Scholl et al. Appl. Phys. Lett., 77, 1671 (2000)
  19. M.R. Boudry. Appl. Phys. Lett., 22, 530 (1973)
  20. V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  21. В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, 20, 208 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.