"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Управление параметрами массивов квантовых точек InAs--GaAs в режиме роста Странского--Крастанова
Черкашин Н.А.1, Максимов М.В.1, Макаров А.Г.1, Щукин В.А.1, Устинов В.М.1, Луковская Н.В.1, Мусихин Ю.Г.1, Цырлин Г.Э.1, Берт Н.А.1, Алфёров Ж.И.1, Леденцов Н.Н.2, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Технический университет Берлина, Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 22 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Исследовалось влияние температуры роста на плотность, латеральный размер и высоту квантовых точек InAs-GaAs по данным просвечивающей электронной микроскопии. С увеличением температуры роста от 450 до 520oC наблюдается уменьшение плотности квантовых точек, а также увеличение их латерального размера и уменьшение высоты, т. е. точки приобретают более плоскую форму. Коротковолновый сдвиг линии фотолюминесценции свидетельствует об уменьшении объема квантовых точек. Наблюдаемые закономерности находятся в согласии с выводами термодинамической теории роста. Исследовалось также влияние понижения температуры подложки непосредственно после формирования квантовых точек на их параметры. При понижении температуры происходит уменьшение латерального размера точек и увеличение их плотности, т. е. массивы квантовых точек стремятся приобрести равновесные параметры, соответствующие температуре, до которой осуществляется охлаждение. Высота квантовых точек при охлаждении увеличивается очень быстро, и при конечном времени охлаждения может превышать равновесное значение, что открывает возможности для создания массивов квантовых точек с требуемым отношением высоты к латеральному размеру путем выбора времени охлаждения.
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dots Heterostructures (John Willey \& Sons, Baffins Line, Chichester, 1999)
  2. N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirstaedter, J. Bohrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, S.V. Zaitsev, N.Yu. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Phys. Rev. B, 54 (12), 8743 (1996)
  3. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 73, 1341 (1998)
  4. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  5. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996).
  6. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Yu.G. Musikhin, V.B. Volovic, A. Schliwa, O. Stier, R. Heitz, D. Bimberg. In: Morphological and Compositional Evolution of Heteroepitaxial Semiconductor Thin Films, ed. by J. Mirecki Millunchick, A.-L. Barabasi, N.A. Modine, and E. Jones [Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 618, 79 (Pittsburgh, 2000)]
  7. A. Madhukar. In: Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates, ed. by K. Eberl, P. Petroff and P. Demeester (Dordrecht, Kluwer, 1995) p. 19
  8. A.L. Barabasi. Appl. Phys. Lett., 70, 2565 (1997)
  9. D.E. Jesson, K.M. Chen., S.J. Pennycook, T. Thundat, R.J. Warmack. Phys. Rev. Lett., 77, 1330 (1996)
  10. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  11. I. Daruka, A.L. Barabasi. Phys. Rev. Lett., 79, 3708 (1997)
  12. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins, D.A. Ohlberg, R.S. Williams. Science, 279, 353 (1998)
  13. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures [Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2002) p. 320]
  14. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburgh, 2000) v. 583, p. 23

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.