"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Латеральный электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек
Кульбачинский В.А.1, Лунин Р.А.1, Рогозин В.А.1, Мокеров В.Г.1, Федоров Ю.В.1, Хабаров Ю.В.1, Нарюми Е.2, Киндо К.2, де Виссер А.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Университет Осака, Япония
3Институт Ван-дер-Ваальса, Университет Амстердама, Нидерланды
Поступила в редакцию: 8 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Исследованы температурные зависимости сопротивления в интервале температура 0.7 K<T<300 K, эффект Холла и эффект Шубникова--де-Гааза в магнитных полях до 40 Тл, фотолюминесценция и морфология гетерограницы (с помощью атомного силового микроскопа) короткопериодных сверхрешеток InAs/GaAs в области дикритической и критической толщины Q=2.7 монослоев (МС) InAs, при превышении которой начинается процесс самоорганизованного роста квантовых точек InAs. Формирование слоев квантовых точек при превышении критической концентрации InAs Q=2.7 МС сопровождается переходом в проводимости от металлической к прыжковой. Установлено, что при толщинах InAs Q=0.33 и Q=2.0 МС интенсивность фотолюминесценции и подвижности электронов в структурах имеют ярко выраженный максимум. Наблюдена анизотропия проводимости, зависящая от толщины слоев осажденного InAs.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин и др. ФТП, 32, 385 (1998) [Semiconductors, 32, 343 (1998)]
  2. D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (John Wiley \& Sons Ltd, West Sussex, England, 1998)
  3. P.W. Fry, I.E. Itskevich, D.J. Mowbray et al. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000)
  4. A.D. Yoffe. Adv. Phys., 50, 1 (2001)
  5. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23 (1), 3 (1989) [Sov. Phys. Semicond., 23 (1), 1 (1989)]
  6. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  7. J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Israel, D. Barrier, G. Bastard. Phys. Rev. Lett., 73, 716 (1994)
  8. V.A. Kulbachinskii, V.G. Kytin, T.S. Babushkina, I.G. Malkina, A. de Visser, B.N. Zvonkov. J. Low Temp. Phys., N 5/6, 499 (1996)
  9. T. Ando. J. Phys. Soc. Jap., 51, 3893 (1982)
  10. В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.Г. Кытин, А.С. Бугаев, А.П. Сеничкин. ЖЭТФ, 110, 1517 (1996) [JETP, 83, 841 (1996)]
  11. Н. Марч, В. Кон, П. Вашишта, С. Лундквист и др. Теория неоднородного электронного газа (М., Мир, 1987)
  12. J. Brubach, A.Yu. Silov, J.E.M. Haverkort, W. Vleuten, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 59, 10 315 (1999)
  13. Y. Foulon, C. Priester. Phys. Rev. B, 44, 5889 (1992).
  14. T. Schweizer, K. Kohler, W. Rothemund, P. Ganser. Appl. Phys. Lett., 59, 2736 (1991)
  15. А. де Виссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма ЖЭТФ, 59, 339 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.