Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Бойко М.Е.1, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1, Лебедев А.А.1, Якимовa Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
2Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 5 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.
Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже в первых попытках 60-х годов по замене газа в ионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу "конкурентных" материалов. В работе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе "чистых" пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и в случае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем в десятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается в диапазоне сотен микрометров.
- A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
- Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, Д.В. Давыдов, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев. ФТП, 36, 375 (2002)
- A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davidov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, Yu.T. Mironov, G.A. Ryabov, E.M. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 184, 431 (2001)
- А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36, 1354 (2002)
- В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 6, 957 (1972)
- G. Violina, P. Shkreby, E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Konstantinov. III Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, May 24--26 (Novgorod the Great, Russia, 2000) p. 125
- Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36, 750 (2002)
- G. Bertuccio, R. Casigaghi, F. Nava. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 232 (2001)
- M. Bruzzi, F. Nava, S. Russo, S. Sciortino, P. Vanni. Diamond Relat. Mater., 10, 657 (2001)
- A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1447 (2000)
- R. Yakimova, E. Jansen. Diamond Relat. Mater., 9, 432 (2000)
- N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M Badila. Mater. Sci. Eng. B, 77, 50 (2000).
- T. Kimito, S. Nakazawa, K. Fujira, T. Hirao, S. Nakamura, Y. Chen, H. Matsunami. Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials --- ICSCRM2001 (Tsukuba, Japan, 2001) p. 189
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 1981)
- Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. Письма ЖТФ, 10, 303 (1984)
- А.О. Константинов. ФТП, 17, 2124 (1983)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963). [S.M. Ryvkin. Photoelectric Effects in Semiconductors, Consultants Bureau (N. Y., 1964) p. 1].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
