"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения
Строкан Н.Б.1, Иванов А.М.1, Бойко М.Е.1, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1, Лебедев А.А.1, Якимовa Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 5 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже в первых попытках 60-х годов по замене газа в ионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу "конкурентных" материалов. В работе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе "чистых" пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и в случае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем в десятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается в диапазоне сотен микрометров.
  1. A.A. Lebedev, N.B. Strokan, A.M. Ivanov, D.V. Davydov, N.S. Savkina, E.V. Bogdanova, A.N. Kuznetsov, R. Yakimova. Appl. Phys. Lett., 79, 4447 (2001)
  2. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, Н.С. Савкина, Д.В. Давыдов, Е.В. Богданова, А.А. Лебедев. ФТП, 36, 375 (2002)
  3. A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davidov, N.S. Savkina, A.A. Lebedev, Yu.T. Mironov, G.A. Ryabov, E.M. Ivanov. Appl. Surf. Sci., 184, 431 (2001)
  4. А.А. Лебедев, В.В. Козловский, Н.Б. Строкан, Д.В. Давыдов, А.М. Иванов, А.М. Стрельчук, Р. Якимова. ФТП, 36, 1354 (2002)
  5. В.А. Тихомирова, О.П. Федосеева, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 6, 957 (1972)
  6. G. Violina, P. Shkreby, E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Hallen, A. Konstantinov. III Int. Seminar on Silicon Carbide and Related Materials, May 24--26 (Novgorod the Great, Russia, 2000) p. 125
  7. Г.Н. Виолина, Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А. Халлен, А.О. Константинов. ФТП, 36, 750 (2002)
  8. G. Bertuccio, R. Casigaghi, F. Nava. IEEE Trans. Nucl. Sci., 48, 232 (2001)
  9. M. Bruzzi, F. Nava, S. Russo, S. Sciortino, P. Vanni. Diamond Relat. Mater., 10, 657 (2001)
  10. A.A. Lebedev, N.S. Savkina, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, D.V. Davydov. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1447 (2000)
  11. R. Yakimova, E. Jansen. Diamond Relat. Mater., 9, 432 (2000)
  12. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynaud, J.-P. Chante, M.-L. Locatelli, D. Planson, J. Milan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Mestres, J. Pascual, G. Brezeanu, M Badila. Mater. Sci. Eng. B, 77, 50 (2000).
  13. T. Kimito, S. Nakazawa, K. Fujira, T. Hirao, S. Nakamura, Y. Chen, H. Matsunami. Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials --- ICSCRM2001 (Tsukuba, Japan, 2001) p. 189
  14. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley \& Sons, 1981)
  15. Ю.А. Водаков, Д.П. Литвин, В.И. Санкин, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков. Письма ЖТФ, 10, 303 (1984)
  16. А.О. Константинов. ФТП, 17, 2124 (1983)
  17. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963). [S.M. Ryvkin. Photoelectric Effects in Semiconductors, Consultants Bureau (N. Y., 1964) p. 1].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.