"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми
Брудный В.Н.1, Гриняев С.Н.1, Колин Н.Г.2
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, пригодная для расчета стационарного положения уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, оценки высоты барьера контакта металл/полупроводник и разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Показано, что такому состоянию соответствует наиболее глубокий уровень в области запрещенной зоны каждого полупроводника. Данный уровень выполняет роль, аналогичную уровню электронного химического потенциала, в объемном дефектном полупроводнике и на межфазной границе. Выполнены численные расчеты энергетического положения данного уровня в полупроводниковых группах IV и III-V.
  1. В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
  2. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  3. W. Walukiewicz. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 1062 (1987)
  4. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998)
  5. H. Hasegawa, Hideo Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B 4 (4), 1130 (1986)
  6. W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
  7. V. Heine. Phys. Rev. A, 138 (6), 1689 (1965)
  8. F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20 (2), 145 (1987)
  9. J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30 (8), 4874 (1984)
  10. С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 35 (1), 84 (2001)
  11. S.T. Pantelides, N.O. Lipari, J. Bernholc. Sol. St. Commun., 33, 1045 (1980)
  12. С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30 (12), 2195 (1996); ФТП, 32 (9), 1094 (1998)
  13. D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973)
  14. В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, 26 (3), 38 (1983)
  15. S.N Grinyaev, S.G. Kataev. Physica B, 191, 317 (1993)
  16. J. Tersoff. J. Vac. Sci. Technol. B, 4 (4), 1066 (1986)
  17. Ying-Chao Ruan, W.Y. Ching. J. Appl. Phys., 62 (7), 2885 (1987)
  18. V.T. Bublik. Phys. St. Sol. (a), 45 (2), 543 (1978)
  19. G. Margaritondo. Phys. Rev. B, 31 (4), 2526 (1985)
  20. H.J. Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 2800 (1980)
  21. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985)
  22. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988)
  23. V.N. Brudnyi, V.M. Diamond. Sol. St. Commun., 54, 355 (1985)
  24. Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22 (6), 1025 (1988)
  25. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, У.С. Югова. ФТП, 21, 521 (1987)
  26. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП 34 (2), 129 (2000)
  27. В.Н. Брудный. ФТП 33, 1290 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.