Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные свойства облученных полупроводников, модель закрепления уровня Ферми
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
2Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
2Филиал ГНЦ РФ "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Предложена теоретическая модель наиболее локализованного дефектного состояния кристалла, пригодная для расчета стационарного положения уровня Ферми в радиационно-модифицированных полупроводниках, оценки высоты барьера контакта металл/полупроводник и разрывов энергетических зон в полупроводниковых гетеропарах. Показано, что такому состоянию соответствует наиболее глубокий уровень в области запрещенной зоны каждого полупроводника. Данный уровень выполняет роль, аналогичную уровню электронного химического потенциала, в объемном дефектном полупроводнике и на межфазной границе. Выполнены численные расчеты энергетического положения данного уровня в полупроводниковых группах IV и III-V.
- В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
- V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
- W. Walukiewicz. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (4), 1062 (1987)
- В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998)
- H. Hasegawa, Hideo Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B 4 (4), 1130 (1986)
- W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
- V. Heine. Phys. Rev. A, 138 (6), 1689 (1965)
- F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20 (2), 145 (1987)
- J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30 (8), 4874 (1984)
- С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 35 (1), 84 (2001)
- S.T. Pantelides, N.O. Lipari, J. Bernholc. Sol. St. Commun., 33, 1045 (1980)
- С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30 (12), 2195 (1996); ФТП, 32 (9), 1094 (1998)
- D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973)
- В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев. Изв. вузов. Физика, 26 (3), 38 (1983)
- S.N Grinyaev, S.G. Kataev. Physica B, 191, 317 (1993)
- J. Tersoff. J. Vac. Sci. Technol. B, 4 (4), 1066 (1986)
- Ying-Chao Ruan, W.Y. Ching. J. Appl. Phys., 62 (7), 2885 (1987)
- V.T. Bublik. Phys. St. Sol. (a), 45 (2), 543 (1978)
- G. Margaritondo. Phys. Rev. B, 31 (4), 2526 (1985)
- H.J. Bardeleben, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 38, 2800 (1980)
- D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985)
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988)
- V.N. Brudnyi, V.M. Diamond. Sol. St. Commun., 54, 355 (1985)
- Н.Г. Колин, Л.В. Куликова, В.Б. Освенский. ФТП, 22 (6), 1025 (1988)
- Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, У.С. Югова. ФТП, 21, 521 (1987)
- В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП 34 (2), 129 (2000)
- В.Н. Брудный. ФТП 33, 1290 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
