Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелыми ионами высоких энергий
1Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Проведено исследование релаксации дефектной подсистемы кремния, нарушенной имплантацией тяжелыми ионами высоких энергий, на примере изменения электрофизических свойств кристалла, отожженного при температуре 450oC. Показано, что при облучении относительно низкими дозами тяжелых ионов Bi и относительно коротком отжиге (время отжига не превышает 5 ч) происходит введение термоакцепторов, распределение которых имеет два максимума на глубинах ~ 10 мкм и в окрестности проективного пробега ионов, равного 43.5 мкм. Максимумы в распределении термоакцепторов соответствуют областям, обогащенным вакансионными дефектами. При увеличении времени отжига происходит трансформация акцепторных центров в донорные с сохранением пространственного распределения. Одновременно происходит практически однородное введение термодоноров во всем кристалле за областью проективного пробега ионов.
- R. Kogler, A. Peeva, P. Werner, W. Skorupa, U. Gosele. Nucl. Instrum. Meth. B, 175--177, 340 (2001)
- R. Kalyanaraman, T.E. Haynes, M. Yoon, B.C. Larson, D.C. Jacobson, H.-J. Grossmann, C.S. Rafferty. Nucl. Instrum. Meth. B, 175--177, 182 (2001)
- A. Agarwal, K. Christensen, D. Venables, D.M. Maher, G.A. Rozgonyi. Appl. Phys. Lett., 69, 3899 (1996)
- R.A. Brown, O. Kononchuk, G.A. Rozgonyi, S. Kovechnikov, A.P. Knights, P.J. Simpson, F. Gonzalez. J. Appl. Phys., 84, 2459 (1998)
- A. Borgezi, B. Pivac, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, Л.С. Смирнов. ФТП, 34, 162 (2000)
- A. Dunlop, G. Jaskierowicz, S. Della-Negra. Nucl. Instrum. Meth. B, 146, 302 (1998)
- А.Р. Челядинский, В.С. Вариченко, А.М. Зайцев. ФТТ, 40, 1627 (1998)
- E.P. Neustroev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, V.A. Skuratov, A.Yu. Dyduk. Nucl. Instrum. Meth. B, 171, 443 (2000)
- И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.П. Попов, В.Ф. Стась. Перспективные материалы, 1, 43 (2001)
- I.V. Antonova, E.P. Neustroev, V.P. Popov, V.F. Stas, V.I. Obodnikov. Phys. B, 270 (1--2), 1 (1999)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, М.Г. Мильвидский, А.С. Гуляева, Н.Б. Тюрина, Л.В. Арапкина. ФТТ, 42, 1969 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
