"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фононная люминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Ткачман М.Г.1, Шубина Т.В.1, Жмерик В.Н.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Паскова Т.2, Монемар Б.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет г. Линчепинга, Отделение физики и экспериментальной технологии, S-581 83 Линчепинг, Швеция
Поступила в редакцию: 9 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Представлены результаты сравнительного анализа качества эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методами молекулярно-пучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции слоев обоих типов носят экситонный характер. Для точного определения природы экситонных переходов были сняты спектры отражения. Акцент работы сделан на исследовании экситонной люминесценции с участием фононов, что дает информацию о плотности распределения экситонных состояний. Исследованы температурные зависимости энергий экситонных переходов и отношения интенсивностей первой и второй фононных реплик. Выполненные исследовaния показали хорошее качество обоих типов слоев GaN, хотя в слоях, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, присутствует большее количество примесей акцепторного типа.
  1. С.А. Пермогоров. Экситоны, под ред. Э.И. Рашба, М.Д. Стерджа (М., Наука, 1985) с. 130
  2. Р. Нокс. Теория экситонов (М., Мир, 1966)
  3. Е.Ф. Гросс, С.А. Пермогоров, Б.С. Разбирин. УФН, 103 (3), 431 (1971)
  4. T. Paskova, S. Tungasmita, E. Valcheva, E. Svedberg, B. Arnaudov, S. Evtimova, P.O.A. Persson, A. Henry, R. Beccard, M. Heuken, B. Monemar. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W3.14 (2000)
  5. V.N. Jmerik, V.V. Mamutin, V.A. Vekshin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev. Mater. Sci. Eng., B59, 60 (1999)
  6. B. Monemar. Mater. Sci. Eng., B59, 122 (1999)
  7. B. Monemar, J.P. Bargman, T. Lundstrom, C.I. Harris, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Proc. Topical Workshop on III--V Nitrides (Nagoya, Japan, 1995). [Sol. St. Electron., 41, 181 (1997)]
  8. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 79, 2784 (1996)
  9. R. Passler. J. Appl. Phys., 83, 3356 (1998)
  10. K. Thonke, K. Kornitzer, M. Grehl, R. Sauer, C. Kirchner, V. Schwegler, M. Kamp, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski. IPAP Conf. Ser. 1: IWN2000, 587 (2000)
  11. K.P. Korona, A. Wysmolek, J.M. Baranovski, K. Pakula, J.P. Bergman, B. Monemar, I. Grzegory, S. Porowski. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 482, 501 (1998)
  12. T.V. Shubina, T. Paskova, A.A. Toropov, A.V. Lebedev, S.V. Ivanov, B. Monemar. Phys. St. Sol. (b), 228 (2), 481 (2001)
  13. I.A. Buyanova, J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki, A. Wysmolek, P. Lomiak, J.M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, K.R. Korona, I. Grzegory, M. Bockowski, S. Porowski. Sol. St. Commun., 8, 497 (1998)
  14. А.И. Ансельм, Ю.А. Фирсов. ЖЭТФ, 30, 719 (1956)
  15. К.К. Ребане, В.Г. Федосеев, В.В. Хижняков. Тр. IX Межд. конф. по физике полупроводников (М., 1968)
  16. E. Calleja, M.A. Sanchez-Garcia, F.J. Sanchez, F. Calle, F.B. Naranjo, E. Mu noz, U. Jahn, K. Ploog. Phys. Rev. B, 62 (24), 16 826 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.