"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локальная особенность изменения спектра пикосекундной суперлюминесценции при дополнительной генерации носителей в нефермиевскую электронно-дырочную плазму в GaAs
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1, Кумеков С.Е.2, Стеганцов С.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Алматинский технологический университет, Алматы, Республика Казахстан
Поступила в редакцию: 10 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Плотная горячая электронно-дырочная плазма и пикосекундная суперлюминесценция возникали при накачке слоя GaAs пикосекундным (ex) импульсом света. Распределение электронов по зоне проводимости было модулировано с периодом, равным энергии LO-фонона. Исследовалось влияние на суперлюминесценцию дополнительной накачки GaAs (pi) импульсом света с homegap<homegaex-0.1 эВ. При одновременной накачке ex- и pi-импульсами в спектре относительного увеличения энергии суперлюминесценции возникали локальные максимум или минимум при энергии фотона, при которой расположен максимум в спектре энергии суперлюминесценции в активной области слоя GaAs. Локальный максимум возникал, когда электроны, рожденные p1-импульсом на уровне с обедненной заселенностью, излучали по LO-фонону и рекомбинировали. Локальный минимум возникал, когда электрон рождался p2-импульсом на уровне с фермиевской заселенностью. Спектральная ширина локальных максимума и минимума оказалaсь уже, чем расчетная ширина энергетического уровня, с которого электроны рекомбинируют.
  1. D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Phys., 48, 267 (1987)
  2. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич. Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988)
  3. N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989)
  4. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 537 (1998)
  5. Ю.Д. Калафати, В.А. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991)
  6. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, 542 (1998)
  7. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel'. Sol. St. Commun., 94, 805 (1995)
  8. Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов, С.Е. Кумеков, С.В. Стеганцoв. ФТП, 36, 144 (2002)
  9. И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 33, 13 (1999)
  10. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1984) с. 350
  11. I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., 98, 903 (1996)
  12. С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 94, 346 (1988)
  13. В.М. Галицкий, В.Ф. Елесин. Резонансное взаимодействие электромагнитных полей с полупроводниками (М., Энергоатомиздат, 1986) с. 192

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.