Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в тепловом поле градиента температуры

Беляев А.П.¹, Рубец В.П.¹, Нуждин М.Ю.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 10 ноября 2002 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о результатах изучения электрических свойств пленок CdTe, синтезированных в тепловом поле градиента температуры, в зависимости от кристаллической структуры, давления окружающей атмосферы и толщины пленок. Представлены результаты исследования пленок с различной структурой: от поликристаллической до состоящей из блоков кристалла. Выявлено возрастание удельной проводимости с ростом кристаллического совершенства пленок, с повышением давления окружающей атмосферы и уменьшением толщины пленок. Продемонстрирована возможность удовлетворительного описания эксперимента в рамках модели неоднородного полупроводника с межкристаллитными барьерами.

А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин, И.П. Калинкин. ФТТ, 43 (4), 745 (2001)
А.П. Беляев, В.П. Рубец, М.Ю. Нуждин, И.П. Калинкин. ЖТФ, 72 (4), 120 (2002)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
А.Я. Шик. ЖЭТФ, 71 (9), 1159 (1976)
A.P. Belyaev, I.P. Kalinkin. Thin Sol. Films, 158, 25 (1988)
А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В.А. Санитаров. ФТП, 18 (11), 1975 (1984)
Yu.A. Ossipyan, V.F. Petrenko, A.V. Zaretskii. Adv. Phys., 35, 115 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель