Вышедшие номера
Фотоэлектрические явления в монокристаллах CdV2S4 и структурах на их основе
Вайполин А.А.1, Николаев Ю.А.1, Полушина И.К.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1, Fernelius N.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
Поступила в редакцию: 2 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Выращены монокристаллы тройного соединения CdV2S4 и выполнены исследования их кристаллической структуры, электрических свойств и оптического поглощения. Показано, что замещение элемента III группы в соединениях AIIBIII2CVI4 на ванадий приводит к получению кристаллов n-типа проводимости с концентрацией электронов ~1018 см-3 и холловской подвижностью Un~150 см2/(В·с) при T=300 K, которая ограничивается рассеянием на колебаниях решетки. На монокристаллах CdV2S4 созданы первые выпрямляющие фоточувствительные структуры, исследованы их фотоэлектрические свойства и сделан вывод о возможности их применения при создании широкодиапазонных фотосенсоров естественного излучения.