"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок
Лисовский И.П.1, Индутный И.З.1, Гненный Б.Н.1, Литвин П.М.1, Мазунов Д.О.1, Оберемок А.С.1, Сопинский Н.В.1, Шепелявый П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

С использованием методов гравиметрии, инфракрасной спектроскопии, многоугловой эллипсометрии и микроскопии атомных сил проведено исследование термостимулированной трансформации структуры кремний-кислородной фазы в слоях SiOx, приводящей к образованию нановключений кремния. Показано, что вакуумная термообработка приводит к увеличению концентрации кислородных мостиков в структурной сетке окисла, окисел уплотняется, сглаживается рельеф его поверхности. Выделение фаз кремния и диоксида кремния происходит в результате процесса перехода кислорода от слабо окисленных молекулярных кластеров (SiOSi3) к сильно окисленным (SiO3Si). Анализ эллипсометрических данных в рамках модели эффективной среды позволил оценить доли выделившихся фаз кремния и диоксида кремния.
  1. K. Hubner. Phys. St. Sol. (a), 61 665 (1980)
  2. A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Thin Sol. Films, 110, 215 (1983)
  3. M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
  4. F. Rochet, G. Dudour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perriere, E. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
  5. G. Hollinger, Y. Jugnet, T.M. Duc. Sol. St. Commun., 22, 277 (1977)
  6. Ф.Н. Тимофеев, А. Айдинли, Ш. Сюзар, Р. Эллиолтиоглы, М. Гюре, К. Тюркоглы, В.Н. Михайлов, И.Н. Тимофеев. Письма ЖТФ, 20, 79 (1994)
  7. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa. J. Appl. Phys., 83, 2228 (1998)
  8. В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35, 854 (2001)
  9. Л.И. Бережинский, Н.В. Сопинский, В.С. Хомченко. ЖПС, 68, 103 (2001)
  10. H. Rinnert, M. Vergant, A. Burneau. J. Appl. Phys., 89, 237 (2001)
  11. D.F. Edwards. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press Inc., 1985) p. 547
  12. L.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinsii, S.I. Frolov, H. Flietner, W. Fussel, E.G. Schmidt. J. Non-Cryst. Sol., 187, 91 (1995)
  13. И.П. Лисовский. УФЖ, 43, 949 (1998)
  14. G.P. Romanova, V.G. Litovchenko, A.A. Efremov, I.P. Lisovskyy, P.I. Didenko, J. Liday, M. Vesely. Proc. 10th Int. Conf. SIMS-X (Munster, Germany, 1995) p. 701
  15. A. Cachard, J.A. Roger, J. Pivot, C.H.S. Dupuy. Phys. St. Sol. (a), 5, 637 (1971)
  16. W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 26, 6610 (1982)
  17. А.Л. Шабалов, М.С. Фельдман, М.З. Баширов. Изв. АН АзССР, 3, 78 (1986)
  18. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, V.P. Melnik, S.I. Frolov. Thin Sol. Films, 247, 264 (1994)
  19. I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, B.M. Gnennyy, D.O. Mazunov, W. Fussel, A.E. Kiv, T.I. Maximova, V.M. Soloviev. Phys. Low-Dim. Structur., 7/8, 113 (2001)
  20. A. Borghesi, B. Pivak, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  21. В.А. Скрышевский, В.П. Толстой. Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур (Киев, Лыбидь, 1991)
  22. R.J. Becker. J. Appl. Phys., 61, 1123 (1987)
  23. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  24. H. Piller. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press Inc., 1985) p. 571
  25. I. Bloomer, J. Lam. Data Storage, 8, 18 (2001)
  26. И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый, Ю.П. Доценко. УФЖ, 44, 1261 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.