"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок
Лисовский И.П.1, Индутный И.З.1, Гненный Б.Н.1, Литвин П.М.1, Мазунов Д.О.1, Оберемок А.С.1, Сопинский Н.В.1, Шепелявый П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 25 марта 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

С использованием методов гравиметрии, инфракрасной спектроскопии, многоугловой эллипсометрии и микроскопии атомных сил проведено исследование термостимулированной трансформации структуры кремний-кислородной фазы в слоях SiOx, приводящей к образованию нановключений кремния. Показано, что вакуумная термообработка приводит к увеличению концентрации кислородных мостиков в структурной сетке окисла, окисел уплотняется, сглаживается рельеф его поверхности. Выделение фаз кремния и диоксида кремния происходит в результате процесса перехода кислорода от слабо окисленных молекулярных кластеров (SiOSi3) к сильно окисленным (SiO3Si). Анализ эллипсометрических данных в рамках модели эффективной среды позволил оценить доли выделившихся фаз кремния и диоксида кремния.
  • K. Hubner. Phys. St. Sol. (a), 61 665 (1980)
  • A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Thin Sol. Films, 110, 215 (1983)
  • M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
  • F. Rochet, G. Dudour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perriere, E. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
  • G. Hollinger, Y. Jugnet, T.M. Duc. Sol. St. Commun., 22, 277 (1977)
  • Ф.Н. Тимофеев, А. Айдинли, Ш. Сюзар, Р. Эллиолтиоглы, М. Гюре, К. Тюркоглы, В.Н. Михайлов, И.Н. Тимофеев. Письма ЖТФ, 20, 79 (1994)
  • T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa. J. Appl. Phys., 83, 2228 (1998)
  • В.Я. Братусь, В.А. Юхимчук, Л.И. Бережинский, М.Я. Валах, И.П. Ворона, И.З. Индутный, Т.Т. Петренко, П.Е. Шепелявый, И.Б. Янчук. ФТП, 35, 854 (2001)
  • Л.И. Бережинский, Н.В. Сопинский, В.С. Хомченко. ЖПС, 68, 103 (2001)
  • H. Rinnert, M. Vergant, A. Burneau. J. Appl. Phys., 89, 237 (2001)
  • D.F. Edwards. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press Inc., 1985) p. 547
  • L.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinsii, S.I. Frolov, H. Flietner, W. Fussel, E.G. Schmidt. J. Non-Cryst. Sol., 187, 91 (1995)
  • И.П. Лисовский. УФЖ, 43, 949 (1998)
  • G.P. Romanova, V.G. Litovchenko, A.A. Efremov, I.P. Lisovskyy, P.I. Didenko, J. Liday, M. Vesely. Proc. 10th Int. Conf. SIMS-X (Munster, Germany, 1995) p. 701
  • A. Cachard, J.A. Roger, J. Pivot, C.H.S. Dupuy. Phys. St. Sol. (a), 5, 637 (1971)
  • W.Y. Ching. Phys. Rev. B, 26, 6610 (1982)
  • А.Л. Шабалов, М.С. Фельдман, М.З. Баширов. Изв. АН АзССР, 3, 78 (1986)
  • I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, V.B. Lozinskii, V.P. Melnik, S.I. Frolov. Thin Sol. Films, 247, 264 (1994)
  • I.P. Lisovskyy, V.G. Litovchenko, B.M. Gnennyy, D.O. Mazunov, W. Fussel, A.E. Kiv, T.I. Maximova, V.M. Soloviev. Phys. Low-Dim. Structur., 7/8, 113 (2001)
  • A. Borghesi, B. Pivak, A. Sassella, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  • В.А. Скрышевский, В.П. Толстой. Инфракрасная спектроскопия полупроводниковых структур (Киев, Лыбидь, 1991)
  • R.J. Becker. J. Appl. Phys., 61, 1123 (1987)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  • H. Piller. In: Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic Press Inc., 1985) p. 571
  • I. Bloomer, J. Lam. Data Storage, 8, 18 (2001)
  • И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый, Ю.П. Доценко. УФЖ, 44, 1261 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.