Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения и спектр электронных состояний пористого кремния

Венгер Е.Ф.¹, Голиней Р.Ю.¹, Матвеева Л.А.¹, Васин А.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии нaук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 26 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом модуляционной спектроскопии электроотражения исследовались образцы пористого кремния. Показано наличие мини-зон, ответственных за существование фотолюминесцентных полос (красная, зеленая и голубая). Установлено исчезновение мини-зоны, отвечающей за полосу в голубой области спектра, при обработке поверхности пористого кремния в H⁺-плазме. Пассивация поверхности водородом также приводит к релаксации механических напряжений, как в пористой пленке, так и в кремниевой подложке. Установлена природа электронных состояний в запрещенной зоне кремниевых нанокристаллитов.

С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач и др. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 3 (1994)
А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 35 (12), 1445 (2001)
L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
A.J. Kontkiewicz, A.M. Kontkiewicz, J. Siejka, S. Sen, G. Nowak, A.M. Hoff, P. Sakthivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Watanachchi, J. Lagowski. Appl. Phys. Lett., 65 (11), 1436 (1994)
R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger. In: Abstract Book of Frontiers in Molecular-Scale Science and Technology of Fullerene, Nanotube, Nanosilicon and Biopolymer (DNA, Protein) Multifunctional Nanosystem (Kiev, 2001) p. SC-P4
M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue. Phys. Rev. Lett., 82 (1), 197 (1999)
М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич. ФТП, 27 (5), 871 (1993)
R.T. Collins, P.M. Fauchet, M.A. Tischler. Phys. Today, 1, 24 (1997)
G.D. Sanders, Yia-Chung Chang. Appl. Phys. Lett., 60 (20), 2525 (1992)
M. Ben-Chorin, B. Averboukh, D. Kovalev, G. Polisski, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 77 (4), 763 (1996)
P.H. Hao, X.Y. Hou, F.L. Zang, X. Wang. Appl. Phys. Lett., 64 (26), 3602 (1994)
X.L. Wu, S.J. Xiong, D.L. Fan, Y. Gu, X.M. Bao, G.G. Siu, M.J. Stokes. Phys. Rev. B, 62 (12), R7759 (2000)
П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30 (8), 1476 (1996)
Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48 (7), 4883 (1993)
X. Zhao, O. Schoenfeld, S. Nomura et al. Mater. Sci. Eng. B, 35, 467 (1995)
P. Gupta, A.C. Dilon, A.S. Bracker, S.M. George. Surf. Sci., 245, 360 (1991)
S.M. Prokes, O.J. Glembocki, V.M. Bermudes. Phys. Rev. B, 45 (23), 13 788 (1992)
А.А. Копылов, А.Н. Холодилов. ФТП, 31 (5), 556 (1997)
Y. Takeda, H.N. Suzuki. J. Appl. Phys., 73 (4), 1924 (1993)
М.И. Страшникова, В.Л. Возный, В.Я. Резниченко, В.Я. Гайворонский. ЖЭТФ, 120 [2(8)], 409 (2001)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 417 (1973)
В.Я. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980) с. 304
Е.Ф. Венгер, Т.Я. Горбач, Л.А. Матвеева и др. ЖЭТФ, 116, 1750 (1999)
R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger, A.O. Livinenko, L.A. Karachevtseva. Appl. Surf. Sci., 172, 214 (2001)
R.Yu. Holiney, L.L. Fedorenko, L.A. Matveeva et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 33, 2875 (2000)
Е.Ф. Венгер, Р.Ю. Голиней, Л.А. Матвеева. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 36, 199 (2001)
V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137 (2), 653 (1990)
Л.Л. Федоренко, А.Д. Сардары, Э.Б. Каганович, С.В. Свечников, С.П. Дикий, С.В. Баранец. ФТП, 31 (1), 6 (1997)
D.E. Aspnes, J.E. Rowe. Phys. Rev. Lett., 27 (4), 188 (1971)
Н.П. Гарбар, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, Ю.А. Тхорик, Р. Харман, Ю.М. Шварц, З, Шроубек. ФТП, 21 (3), 393 (1987)
R.Yu. Holiney, A. Szekeres, L.A. Matveeva et al. Proc. 11th Int. School on Condensed Matter Physics Materials for Information Technology in the New Millennium (Varna, 2000) p. 240
R.Yu. Holiney, L.A. Matveeva, E.F. Venger. Semicond. Phys. Quant. Electron \& Optoelectron., 2 (4), 10 (1999)
В.И. Гавриленко, В.А. Зуев, В.Г. Литовченко. ПТМ, 18, 49 (1974)
L.A. Matveeva, E.F. Venger, R.Yu. Holiney. Quest. Atom. Sci. Tech., 3, 103 (1999)
T.Ya. Gorbach, G.Yu. Rudko, P.S. Smertenko, S.V. Svechnikov, M.Ya. Valakh, V.P. Bondarenko, A.M. Dorofeev. Semicond. Sci. Technol., 11, 601 (1996)
G. Zuther. Phys. St. Sol. (a), 59, K109 (1980)
H.R. Philipp. Phys. Chem. Sol., 32, 1935 (1931)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель