Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические свойства структур Si : H/p-Si, полученных имплантацией водорода

Наумова О.В.¹, Антонова И.В.¹, Попов В.П.¹, Стась В.Ф.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 9 апреля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Мультиэнергетичная (3-24 кэВ) имплантация водорода (в интервале доз 5· 10¹⁶-3· 10¹⁷ см^-2) в пластины p-Si была использована для создания гидрированных слоев Si : H. Показано, что в результате имплантации формируются гетероструктуры Si : H/p-Si. После имплантации протекание тока через структуры контролируется механизмом Пула-Френкеля с энергией доминирующего эмиссионного центра E_c-0.89 эВ. Максимальной фоточувствительностью обладают структуры, облученные дозой водорода 3.2· 10¹⁷ см^-2 и отожженные в диапазоне температур 250-300^o C. Ширина запрещенной зоны слоя Si : H составляет E_g~ 2.4 эВ, значение диэлектрической проницаемости varepsilon~ 3.2. Плотность состояний вблизи уровня Ферми (1-2)· 10¹⁷ см^-3 эВ^-1.

N. Jensen, U. Rau, J.H. Werner. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 609, A13.1.1 (2000)
R. De Rosa, M.L. Grill, G. Sasicala, M. Tucci, F. Roca. Sol. St. Phenomena, 67--68, 563 (1999)
М.М. Мездрогина, А.В. Абрамов, Г.Н. Мосина, И.Н. Трапезникова, А.В. Пацекин. ФТП, 32, 620 (1998)
V.P. Popov, I.V. Antonova, A.K. Gutakovsky, E.V. Spesivtsev, I.I. Morosov. J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 120 (2000)
T.A. Burr, A.A. Seraphin, E. Werwa, K.D. Kolenbranger. Phys. Rev. B, 56, 4818 (1997)
Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
S.J. Pearton, J.W. Corbett, T.S. Shi. J. Appl. Phys. A, 43, 153 (1987)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
T. Matsumoto, H. Mimura, N. Koshida, Y. Masumoto. J. Appl. Phys., 84, 6157 (1998)
Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски (М., Мир, 1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель