"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция сильно легированного арсенида галлия при упорядоченном распределении примесных комплексов
Богданова В.А., Семиколенова Н.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Приведены результаты исследования изменения спектров фотолюминесценции (ФЛ) в области краевой и примесной излучательной рекомбинации в GaAs (Te) с увеличением уровня легирования от n=1017 до n=1019 см-3. При концентрациях свободных носителей n=(3/4)·1018 см-3 обнаружено существенное возрастание интенсивности краевой ФЛ, которое связывается с образованием примесной сверхструктуры. В области концентраций n=(1/3)·1018 см-3 происходит смена состава доминирующих сложных центров рекомбинации, при n>3·1018 см-3 доминируют центры, ответственные за полосу ФЛ с hnumax=1.33/1.4 эВ, не связанные с медью. Определена энергия ионизации основного состояния этого центра (0.14/0.19 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.