"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений AIIIBV
Мартисов М.Ю.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследован механизм снижения плотности дислокаций при изовалентном легировании полупроводниковых соединений AIIIBV и показано, что в изовалентно легированных слоях дислокации могут выходить за пределы образца. Получено выражение для вероятности выхода дислокации за пределы образца и показано, что данный технологический прием эффективен при малой плотности дислокаций (Nd~104 см-2, AIIIBV/AIIIBV) и неэффективен при большой плотности дислокаций (Nd~ 106-108 см-2, AIIIBV/Si).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.