Регель А.П.1, Глазов В.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный институт электронной техники (технический университет),, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1995 г.
Сформулирована концепция аддитивного вклада в энтропию плавления полупроводников эффектов от изменения при переходе из твердого состояния в жидкое в трех подсистемах - атомной, подсистеме осцилляторов и электронной, в связи с чем энтропию плавления предложено считать суммой трех составляющих - позиционной, колебательной и электронной: Delta Sm = Delta S pos+Delta S vib + Delta S el. Рассмотрены возможности независимой оценки каждой из составляющих. Последовательные расчеты и независимые оценки составляющих энтропии плавления показали, что отмеченные три составляющие практически адекватно описывают энтропию плавления полупроводников. При оценке позиционной составляющей энтропии плавления учтены эффект послеплавления, а в случае полупроводниковых соединений и степень диссоциации их при фазовом переходе кристалл-расплав. Для оценки колебательной составляющей рассмотрена возможность использования экспериментальных данных по вязкости и скорости распространения ультразвука. Получены соответствующие аналитические выражения. Последовательно обоснована реальность вклада изменений в электронной подсистеме в общую энтропию плавления. Показано, что у полупроводников, плавящихся по типу полупроводник-металл, электронная составляющая представляет собой достаточно значительную величину, достигающую 40/70% от общей энтропии плавления. Расмотрены и сопоставлены различные методы оценки вклада изменений состояний электронной подсистемы ковалентных кристаллов в энтропию их плавления. В числе известных ранее рассмотрен метод оценки электронной составляющей энтропии плавления, основанной на том, что изменения характера химической связи при плавлении по типу полупроводник-металл приводят к необходимости при описании поведения электронов переходить от статистики Максвелла-Больцмана к статистике Ферми-Дирака. На основе этого подхода получено аналитическое выражение, позволяющее рассчитать электронную составляющую энтропии плавления. Описанных подход и полученные соотношения позволили оценить изменение эффективных масс электронов и их подвижности в процессе фазового перехода кристалл-расплав на основе данных об электронной составляющей энтропии. Расчеты электропроводности на основе полученных данных по подвижности показали хорошее согласие с экспериментальными данными. Это обстоятельство, а также хорошее согласие величин электронной составляющей энтропии плавления, полученных различными методами, включая метод, основанный на использовании опытных данных по термоэлектрическим эффектам на границе раздела твердой и жидкой фаз, указывает на то, что вклад изменений состояния электронной подсистемы ковалентных кристаллов в процессе фазового перехода кристалл-расплав является его физически реальной и весьма важной характеристикой.
- А.Р. Регель. \it Исследования по электронной проводимости жидкостей (Л., 1956)
- А.Р. Регель. Уч. записки ЛГПИ им. А.И.Герцена, 197, 187 (1958)
- A.R. Regel, V.M. Glazov. \it Physics of Disodered Materials, ed. by D.Adler, H.Fritzsche, S.Ovshinsly (Plenum Press, N.Y.--London, 1985) p. 275
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. Журн. физ. химии, 67, 1969 (1993)
- Я.М. Френкель. \it Кинетическая теория жидкостей (М.; Л., изд-во АН СССР, 1945)
- N.F. Mott. Proc. Roy. Soc. A, 146, 465 (1934)
- В.М. Глазов. Журн. физ. химии, 46, 606 (1972)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. \it Периодический закон и физические свойства электронных расплавов (М., Наука, 1978)
- И.Р. Вильсон. \it Структура жидких металлов и сплавов (М., Металлургия, 1972)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. Вестн. АН СССР, N 7, 75 (1967)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. \it Физические свойства электронных расплавов (М., Наука, 1980)
- В.М. Глазов, Н.Н. Глаголева, В.А. Нагиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 11, 1181 (1975)
- В.М. Глазов, М.К. Касымова. Электрон. техн. сер. 14. Материалы, N 1, 66 (1968)
- В.М. Глазов, А.Н. Крестовников, Г.Л. Малютина. ДАН СССР, 175, 631 (1967)
- В.М. Глазов, А.Н. Крестовников, А.С. Бурханов. \it Полупроводниковые соединения Cu_3B^VI. Обзоры электронной техники (М., ЦНИИ "Электроника", 1972)
- В.М. Глазов, А.Н. Крестовников, В.А. Нагиев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, 586 (1974)
- В.М. Глазов, А.Н. Крестовников, Р.А. Кулиев. Журн. физ. химии, 45, 2671 (1975)
- В.М. Глазов, А.Ю. Манделевич. Электрон. техн., сер. 14, Материалы, N 1, 114 (1968)
- В.М. Глазов, В.А. Нагиев, Р.С. Куриев. Изв. вузов. Цв. металлургия, N 5, 116 (1972)
- В.М. Глазов, Л.М. Павлова. \it Химическая термодинамика и фазовые равновесия (М., Металлургия, 1988)
- А.Р. Уббелоде. \it Расплавленное состояние вещества (М., Металлургия, 1982)
- N.E. Cusack, J.E. Enderby. Proc. Phys. Soc., 75, 395 (1960)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. ФПП, 17, 1729 (1983)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. \it Закономерности формирования структуры электронных расплавов (М., Наука, 1982)
- В.М. Глазов, С.И. Чижевская, Н.Н. Глаголева. \it Жидкие полупроводники (М., Наука, 1967)
- В.М. Глазов, В.И. Тимошенко. Журн. физ. химии, 55, 1448 (1981)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов, А.А. Айвазов. ФТП, 8, 522 (1974)
- А.А. Айвазов, В.М. Глазов, А.Р. Регель. \it Энтропия плавления полупроводников, сер. 6, Материалы, (М., ЦНИИ "Электроника", 1977) вып. 4 (542)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов. \it Энтропия плавления металлов и полупроводников (М., Металлургия, 1980)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов, А.А. Айвазов, Л.М. Павлова. ФТП, 10, 1939 (1976)
- Б.Н. Иванов. В кн.: \it Теплофизические свойства жидкостей (М., Наука, 1973) с. 43
- E.N. Andrade. Phyl. Mag., 17, 497 (1934)
- E.N. Andrade, E.R. Dobbs. Proc. Roy. Soc. A, 211, 12 (1952)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.И. Тимошенко. \it Тез. докл. Всес. конф. по распространению акустических волн в жидкостях (Ашхабад, 1974)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.И. Тимошенко. Журн. физ. химии, 51, 319 (1977)
- E.S. Post. Canad. J. Phys., 31, 112 (1953)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.И. Тимошенко. Журн. физ. химии, 52, 1276 (1978)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов, С.Г. Ким. ФТП, 20, 1353 (1986)
- А.Р. Регель, Б.А. Котов, Н.М. Окунева, А.Л. Шах-Будагов. ФТТ, 9, 1227 (1967)
- В.И. Костриков, Д.О. Гумбатов. Журн. физ. химии, 42, 46 (1968)
- А.Н. Крестовников, В.А. Евсеев, А.С. Охотин, В.М. Глазов. ДАН СССР, 178, 1051 (1968)
- В.И. Ивлев. Журн. физ. химии, 64, 578 (1990)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.Б. Кольцов. Журн. физ. химии, 65, 3405 (1991)
- B.K. Shakraverty. J. Phys. Chem. Sol., 30, 454 (1969)
- В.М. Глазов, В.И. Тимошенко, А.А. Айвазов. Журн. физ. химии, 51, 2202 (1977)
- Д.С. Стильбанс. \it Физика полупроводников (М., Сов. радио, 1967)
- R.A. Smith. \it Semiconductors (Cambridge University Press, Cambrige--London--N.Y.--Melburn, 1978)
- О. Маделунг. \it Физика полупроводниковых соединений из элементов III и V групп (М., Мир, 1987)
- Я.А. Угай. \it Введение в химию полупроводников (М., Высш. шк., 1975)
- В.М. Глазов, В.И. Тимошенко. Журн. физ. химии, 51, 2193 (1977)
- Г.М. Кузнецов, В.А. Ротенберг. Журн. физ. химии, 46, 3081 (1972)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Статистическая физика (М., Наука, 1964)
- А.И. Ансельм. \it Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.Б. Кольцов. ДАН СССР, 259, 1353 (1981)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов. ФТП, 14, 2139 (1980)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.Б. Кольцов. ФТП, 14, 1532 (1980)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, С. Гафоров. ФТП, 16, 1959 (1982)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.А. Курбатов. ФТП, 22, 330 (1988)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.А. Курбатов. ФТП, 22, 330 (1988)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов. ФТП, 22, 330 (1988)
- А.Р. Регель, В.М. Глазов, С.Г. Ким. В кн.: \it Термодинамика и материаловедение полупроводников, под ред. проф. В.М.Глазова (М., Металлургия, 1992) с. 75
- А.Р. Регель, В.М. Глазов. Электрон. техн., серия 6, Материалы, вып. 9 (194), 7 (1984)
- В.М. Глазов, С.Н. Чижевская. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1,307 (1965)
- И.М. Цидильковский. \it Зонная структура полупроводников (М., Наука, 1978)
- В.М. Глазов, А.А. Айвазов, В.А. Евсеев. ФТП, 3, 1124 (1969)
- В.М. Глазов, В.Б. Кольцов, В.А. Курбатов. ФТП, 20, 2159 (1986)
- В.М. Глазов, В.С. Земсков. \it Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.