"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1, Zahn D.R.T.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institute fur Physik, TU Chemnitz Chemnitz, Germany
Поступила в редакцию: 28 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверхности и к формированию на ней сульфидного покрытия, так и к уменьшению приповерхностного барьера; при этом в n-GaAs поверхностный уровень Ферми смещается в направлении зоны проводимости, а в p-GaAs --- в направлении валентной зоны. Установлено, что по мере уменьшения диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастают как константа скорости реакции формирования сульфидов на поверхности, так и величина смещения поверхностного уровня Ферми; при этом смещение в n-GaAs составляет 0.53 эВ, а в p-GaAs 0.27 эВ при пассивации в растворе сульфида аммония в трет-бутаноле. Предложена модель, объясняющая эти экспериментальные результаты на основе учета реакционной способности сульфид-иона в растворе.
  1. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  2. L.A. Farrow, C.J. Sandroff, M.C. Tamargo. Appl. Phys. Lett., 51, 1931 (1987)
  3. C.J. Sandroff, M.S. Hegde, L.A. Farrow, C.C. Chang, J.P. Harbinson. Appl. Phys. Lett., 54, 362 (1989)
  4. G.J. Hughes, L. Roberts, M.O. Henry, K. McGuigan, G.M. O'Connor, F.G. Anderson, G.P. Morgan, T. Glynn. Mater. Sci. Eng. B, 9, 37 (1991)
  5. P. Moriarty, B. Murphy, L. Roberts, A.A. Cafolla, L. Koenders, P. Bailey. Phys. Rev. B, 51, 14 237 (1994)
  6. V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
  7. H. Sugahara, M. Oshima, H. Oigawa, H. Shigekawa, Y. Nannichi. J. Appl. Phys., 69, 4349 (1991)
  8. H. Sugahara, M. Oshima, R. Klauser, H. Oigawa, Y. Nannichi. Surf. Sci. 242, 335 (1991)
  9. В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.К. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 1, 46 (1995)
  10. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
  11. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ, 39, 63 (1997)
  12. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 22, вып. 18, 37 (1996)
  13. G. Bauer, W. Richter. Optical Characterization of Epitaxial Semiconductor Layers (Springer, Berlin, 1996)
  14. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
  15. W. Haes, R. London. Scattering of Light by Crystals (Wiley, N.Y., 1978)
  16. D.R. Lide. CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Press, Boca Raton, Ann Arbor, London, Tokio, 1995)
  17. J. Geurts. Surf. Sci. Rep., 18, 1 (1993)
  18. G.P. Schwartz, G.J. Gualtieri. J. Electrochem. Soc., 133, 1266 (1986)
  19. N. Newman, W.E. Spicer, T. Kendelewicz, I. Lindau. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 931 (1986)
  20. G. Klopman. J. Amer. Chem. Soc., 90, 223 (1968)
  21. J. Guo--Ping, H.E. Ruda. J. Appl. Phys., 79, 3758 (1996)
  22. T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
  23. K.N. Ow, X.W. Wang. Phys. Rev. B, 54, 17 661 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.