Методами рентгеновской фотоэлектронной и рамановской спектроскопии изучались химический состав и положение поверхностного уровня Ферми в n- и p-GaAs (100) при пассивации в спиртовых растворах сульфида аммония. Показано, что сульфидирование GaAs приводит к снижению как количества оксидов на поверхности и к формированию на ней сульфидного покрытия, так и к уменьшению приповерхностного барьера; при этом в n-GaAs поверхностный уровень Ферми смещается в направлении зоны проводимости, а в p-GaAs - в направлении валентной зоны. Установлено, что по мере уменьшения диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастают как константа скорости реакции формирования сульфидов на поверхности, так и величина смещения поверхностного уровня Ферми; при этом смещение в n-GaAs составляет 0.53 эВ, а в p-GaAs 0.27 эВ при пассивации в растворе сульфида аммония в трет-бутаноле. Предложена модель, объясняющая эти экспериментальные результаты на основе учета реакционной способности сульфид-иона в растворе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.