Вышедшие номера
Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках
Кадушкин В.И.1
1Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Предсказан новый физический эффект, обусловленный действием силы Лоренца на электроны полупроводника, движущегося ускоренно. Получено выражение для поля Холла и выполнены оценки холловского напряжения для реальной двумерной гетероструктуры. Выполнен анализ возможной схемы усиления холловского поля на примере двух холловских элементов, один из которых - генератор напряжения, а второй - нагрузка.