"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках
Кадушкин В.И.1
1Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 28 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Предсказан новый физический эффект, обусловленный действием силы Лоренца на электроны полупроводника, движущегося ускоренно. Получено выражение для поля Холла и выполнены оценки холловского напряжения для реальной двумерной гетероструктуры. Выполнен анализ возможной схемы усиления холловского поля на примере двух холловских элементов, один из которых --- генератор напряжения, а второй --- нагрузка.
  1. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика, т. VIII. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982) с. 309
  2. И.М. Цидильковский УФН, 115, 321 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.