Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование массопереноса в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Методом численого моделирования проведено исследование диффузионного массопереноса реагентов в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски. Рассмотрено возможное влияние адсорбции реагентов на поверхность маски и их поверхностной диффузии на скорость локального роста. Проведено сравнение результатов расчета с имеющимися в литературе экспериментальными данными.
- J.P. Duchemin, M. Bonnet, F.Kielsch, D. Huyghe. J. Cryst. Growth, 45, 181 (1978)
- K. Kamon, S. Takagish, H. Mori. J. Cryst. Growth, 73, 73 (1985)
- K. Kamon, M. Shimazu, K. Kimura, M. Mihara, M. Ishii. J. Cryst. Growth, 77, 297 (1986)
- G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 68, 111 (1984)
- Y.D. Galeuchet, P. Roentgen, V. Graft. J. Appl. Phys., 68, 560 (1990)
- T. Sasaki, M. Kitamura, I. Mito. J. Cryst. Growth, 132, 435 (1993)
- D.G. Coronell, K.F. Jensen. J. Cryst. Growth, 114, 581 (1991)
- K. Yamaguchi, M. Ogasawara, K. Okamoto. J. Appl. Phys., 72, 5919 (1992)
- Yu.N. Makarov, M.S. Ramm, E.A. Subashieva, A.I. Zhmakin. J. Cryst. Growth, 145, 271 (1994)
- Г. Шлихтинг. Теория пограничного слоя (М., Наука) с. 134
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
