"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование массопереноса в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски
Проэкт Л.Б.1, Калитеевский М.А.1, Кантор В.Б.1, Пиотровский Д.А.1, Синицын М.А.1, Явич Б.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Методом численого моделирования проведено исследование диффузионного массопереноса реагентов в условиях локальной газофазной эпитаксии с использованием маски. Рассмотрено возможное влияние адсорбции реагентов на поверхность маски и их поверхностной диффузии на скорость локального роста. Проведено сравнение результатов расчета с имеющимися в литературе экспериментальными данными.
  1. J.P. Duchemin, M. Bonnet, F.Kielsch, D. Huyghe. J. Cryst. Growth, 45, 181 (1978)
  2. K. Kamon, S. Takagish, H. Mori. J. Cryst. Growth, 73, 73 (1985)
  3. K. Kamon, M. Shimazu, K. Kimura, M. Mihara, M. Ishii. J. Cryst. Growth, 77, 297 (1986)
  4. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 68, 111 (1984)
  5. Y.D. Galeuchet, P. Roentgen, V. Graft. J. Appl. Phys., 68, 560 (1990)
  6. T. Sasaki, M. Kitamura, I. Mito. J. Cryst. Growth, 132, 435 (1993)
  7. D.G. Coronell, K.F. Jensen. J. Cryst. Growth, 114, 581 (1991)
  8. K. Yamaguchi, M. Ogasawara, K. Okamoto. J. Appl. Phys., 72, 5919 (1992)
  9. Yu.N. Makarov, M.S. Ramm, E.A. Subashieva, A.I. Zhmakin. J. Cryst. Growth, 145, 271 (1994)
  10. Г. Шлихтинг. Теория пограничного слоя (М., Наука) с. 134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.