"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 легированного германием
Аллен Т.Ю.1, Полянская Т.А.1, Копылов А.А.2, Шакмаев А.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Обнаружен новый механизм примесной фотопроводимости в полупроводниках. Форма спектров длинноволновой фотопроводимости, наблюдавшихся в p-GaAs0.94Sb0.06:Ge, удовлетворительно объясняется резонансной ионизацией примесных уровней фононами, возбужденными при поглощении инфракрасного излучения.
  1. Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская. ФТП, 31 (1997) (в печати)
  2. D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
  3. Спитцер В. В кн.: Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970) с. 28.
  4. G. Dolling, WJ.L.T. Waugh. In: Lattice Dynamics, ed. by R.F. Wallis (Pergamon Press, 1965) p. 19
  5. A. Baldereschi, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
  6. Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. New Series: Group III, v. 17. [ Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, 1982)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.