Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 легированного германием
Аллен Т.Ю.1, Полянская Т.А.1, Копылов А.А.2, Шакмаев А.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Обнаружен новый механизм примесной фотопроводимости в полупроводниках. Форма спектров длинноволновой фотопроводимости, наблюдавшихся в p-GaAs0.94Sb0.06:Ge, удовлетворительно объясняется резонансной ионизацией примесных уровней фононами, возбужденными при поглощении инфракрасного излучения.
- Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская. ФТП, 31 (1997) (в печати)
- D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T.J. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White. J. Phys. Chem. Sol., 36, 1041 (1975)
- Спитцер В. В кн.: Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970) с. 28.
- G. Dolling, WJ.L.T. Waugh. In: Lattice Dynamics, ed. by R.F. Wallis (Pergamon Press, 1965) p. 19
- A. Baldereschi, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
- Landolt-Bornstein. Numerical Data and Functional Relationship in Science and Technology. New Series: Group III, v. 17. [ Physics of Group IV Elements and III-V Compounds, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, 1982)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.