"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния
Данишевский А.М.1, Трегубова А.С.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Рамановские и рентгенотопографические измерения были выполнены на эпитаксиальных пленках карбида кремния, выращенных методом газофазной эпитаксии на подложках из объемного 6H-SiC в фирме Cree Research, Inc. (USA). На основе сравнения с данными рентгеновской топографии выяснялся вопрос о том, какие области рамановского спектра 6H-SiC наиболее чувствительны к структурным макродефектам (дислокации, включения и т. п.), выявленным в пленках, и какие выводы о свойствах данного дефектного участка пленки можно сделать.
  1. D.W. Feldman, J.H. Parker, W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev., 170, 698 (1968); Phys. Rev., 173, 787 (1968)
  2. И.С. Горбань, В.И. Луговой. Журн. прикл. спектроскопии, XXIV, 333 (1976)
  3. S. Nakashima, Y. Nakakura, Z. Inoue. J. Phys. Soc. Japan, 56, 359 (1987)
  4. S. Nakashima, K. Tahara. Phys. Rev. B, 40, 6339 (1989)
  5. А.М. Данишевский, В.Б. Шуман, А.Ю. Рогачев, П.А. Иванов. ФТП, 29, 2122 (1995)
  6. Pham. V. Huong. Diamond and Related Mater., 1, 33 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.