"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M=Pt, Cr, W)
Ермолович И.Б.1, Миленин В.В.1, Конакова Р.В.1, Применко Л.Н.1, Прокопенко И.В.1, Громашевский В.Л.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Изучено влияние ультразвуковой обработки на физико-химические, структурные и электрофизические свойства структур Pt, Cr, W/n-n+-GaAs. Показано, что ультразвуковая обработка приводит к пространственной и химической упорядоченности приконтактной области GaAs, что обусловливает уменьшение обратных токов диодных структур с барьером Шоттки. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на структурную и химическую перестройку в контакте M/n-n+-GaAs.
  1. В.Л. Громашевский, В.В. Дякин, Е.А. Сальков. УФЖ, 29, 550 (1984)
  2. В.Л. Громашевский, В.В. Дякин, Н.С. Заяц. Тез докл. XII Всес. конф. по акустоэлектронике и квантовой акустике (Киев, 1986) ч. II, c. 35
  3. А.П. Здебский, В.Л. Корчная, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 12, 76 (1986)
  4. А.П. Здебский, М.И. Лисянский, Н.Б. Лукьянчикова, М.К. Шейнкман. Письма ЖТФ, 13, 1009 (1987)
  5. Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983) с. 176
  6. В.И. Гавриленко, А.М. Греков, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 353
  7. L.E. Davis, N.C. Mcdonald, P.W. Palmberg, G.T. Piach, R.E. Weber. Handbook of Auger Spectroscopy (Minnesota, Physical Electronics Jucheltries, 1976) p. 195
  8. V.J. Kumar. Phys. Chem. Sol., 36, 535 (1975)
  9. О.Д. Протопопов. Обзоры по электрон. техн. Сер. 7, 10 (117), 74 (1985)
  10. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов. ФТП, 2, 1441 (1968)
  11. О.К. Городбниченко. Высокомолекулярная пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия (Киев, Вища шк., 1993), с. 108
  12. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций (М. Атомиздат, 1972) с. 412
  13. Queisser, C.S. Fuller. J. Appl. Phys., 37, 4895 (1966)
  14. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  15. S.Y. Chiang, G.L. Pearson. J. Luminesc., 10, 313 (1979)
  16. A.S. Popov, A. Jakimova. Phys. St. Sol. (a), 51, PK17 (1979)
  17. Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 15, 1970 (1981)
  18. Г.Б. Абдуллаев, Г.Д. Джафаров. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах (М., Атомиздат, 1980) с. 221
  19. А.А. Акопян, З.С. Грибников, Р.В. Конакова, Ю.А. Тхорик, Ю.М. Шварц. ФТП 9, 1799 (1975)
  20. С.А. Груша, Ф. Дубецки, М. Дубовински, В.И. Зименко, К.А. Исмайлов, Р.В. Конакова, В.С. Лысенко, И.Н. Осиюк, О.В. Снитко, Ю.А. Тхорик, В.М. Файнберг, Л.С. Хазан. ДАН УССР (А), 1, 53 (1989)
  21. R.E. Vitturo, M.L. Slude, L.J. Brillson. Phys. Rev. Lett., 57, 487 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.