"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кратковременное включение микроплазм при напряжении ниже порогового
Добровольский В.Н.1, Пальцев И.Е.1, Романов А.В.1
1Киевский государственный университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Исследовалась кинетика установления тока через p-n-переход с микроплазмами после приложения к нему напряжения, меньшего порогового напряжения включения микроплазм в стационарных условиях. Наблюдалось кратковременное включение микроплазм и протекание тока, превышающего стационарное значение более чем на порядок. Предложено объяснение наблюдавшегося эффекта. Оно базируется на обнаруженном ранее сильном влиянии на лавинный ток неоднородного разогрева p-n-перехода.
  1. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  2. В.Н. Добровольский, А.В. Романов. ФТП, 26, 1361 (1992)
  3. В.Н. Добровольский, А.В. Романов, С.Б. Грязнов. ФТП, 29, 1453 (1995)
  4. В.Н. Добровольский, С.Б. Грязнов. ФТП, 26, 1366 (1992)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1964) ч. 1
  6. Р.В. Конакова, П. Кордош, Ю.А. Тхорик, В.И. Файнберг, Ф. Штофаник. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов (Киев, Наук. думка, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.