"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
Григорьев Н.Н.1, Кудыкина Т.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Процесс изотермической диффузии Zn в GaAs описан в рамках реакции Лонжини и предложенной рекомбинационной модели: более подвижный межузельный атом цинка в процессе диффузии рекомбинирует с вакансией галлия и становится малоподвижным узельным дефектом. Концентрационный профиль суммарной концентрации цинка на больших временах определяется главным образом концентрационным профилем вакансий. Получены все известные профили диффузии при постоянном коэффициенте диффузии цинка и без подгоночных параметров. Предложен новый метод измерения коэффициентов диффузии межузельного цинка, цинка в узлах галлия и вакансий. Величины этих коэффициентов оценены по имеющимся экспериментальным данным. Показано, что ранее рассчитанная в ряде работ кажущаяся зависимость коэффициента диффузии цинка от его фоновой концентрации связана с процессом его рекомбинации с вакансиями галлия.
  1. F.A. Cunnell, C.H. Gooch. J. Phys. Chem. Sol., 15, 127 (1960)
  2. B. Goldstein. Phys. Rev., 118, 1024 (1960)
  3. I.W. Allen. J. Phys. Chem. Sol., 15, 134 (1960)
  4. R.L. Longini. Sol. St. Electron., 5, 127 (1962)
  5. Б.И. Болтакс, Т.Д. Джафаров, В.И. Соколов, Ф.С. Шишияну. ФТТ, 6, 1511 (1964)
  6. H. Rupprecht, C.Z. LeMay. J. Appl. Phys., 35, 1970 (1964)
  7. L.L. Chang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 35, 1960 (1964)
  8. Z.F. Paska, D. Haga, B. Willen. Appl. Phys. Lett., 60, 1594 (1992)
  9. N.H. Ky, L. Pavesi, D. Araujo, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 69, 7585 (1991)
  10. G. Rajeswaran, K.B. Kahen, D.J. Lawrence. J. Appl. Phys., 69, 1359 (1991)
  11. C.H. Ting, G.L. Pearson. J. Electrochem. Soc., 118, 454 (1971)
  12. M.A. Kadhim, B. Tuck. J. Mater. Sci., 7, 68 (1972)
  13. L. Pavesi, D. Araujo, N.H. Ky et al. Opt. Quant. Electron. 23, S789 (1991)
  14. K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett., 55, 2117 (1989)
  15. S. Reynolds, D.W. Vook, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 63, 1052 (1988)
  16. H.R. Winteler. Helv. Phys. Acta, 44, 451 (1970)
  17. U. Gosele, F. Moreyead. J. Appl. Phys., 52, 4617 (1981)
  18. S. Yu, T.Y. Tan, U. Gosele. J. Appl. Phys., 69, 3547 (1991)
  19. P. Enquist, J.A. Hutchby, T.J. DeLyon. J. Appl. Phys., 63, 4485 (1988)
  20. Н.Н. Григорьев, Т.А. Кудыкина. УФЖ, 33, 574 (1988)
  21. N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, P.M. Tomchuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 24, 276 (1992)
  22. P.L. Kendall, M.E. Jones. AIEEIRE Device Research Conference (Stanford, 1961)
  23. C.L. Pearson, M.G. Buehler, C.N. Berglund. Bull. M. Phys. Soc. St. Louis Meeting, 1963

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.