Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
Григорьев Н.Н.1, Кудыкина Т.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Процесс изотермической диффузии Zn в GaAs описан в рамках реакции Лонжини и предложенной рекомбинационной модели: более подвижный межузельный атом цинка в процессе диффузии рекомбинирует с вакансией галлия и становится малоподвижным узельным дефектом. Концентрационный профиль суммарной концентрации цинка на больших временах определяется главным образом концентрационным профилем вакансий. Получены все известные профили диффузии при постоянном коэффициенте диффузии цинка и без подгоночных параметров. Предложен новый метод измерения коэффициентов диффузии межузельного цинка, цинка в узлах галлия и вакансий. Величины этих коэффициентов оценены по имеющимся экспериментальным данным. Показано, что ранее рассчитанная в ряде работ кажущаяся зависимость коэффициента диффузии цинка от его фоновой концентрации связана с процессом его рекомбинации с вакансиями галлия.
- F.A. Cunnell, C.H. Gooch. J. Phys. Chem. Sol., 15, 127 (1960)
- B. Goldstein. Phys. Rev., 118, 1024 (1960)
- I.W. Allen. J. Phys. Chem. Sol., 15, 134 (1960)
- R.L. Longini. Sol. St. Electron., 5, 127 (1962)
- Б.И. Болтакс, Т.Д. Джафаров, В.И. Соколов, Ф.С. Шишияну. ФТТ, 6, 1511 (1964)
- H. Rupprecht, C.Z. LeMay. J. Appl. Phys., 35, 1970 (1964)
- L.L. Chang, G.L. Pearson. J. Appl. Phys., 35, 1960 (1964)
- Z.F. Paska, D. Haga, B. Willen. Appl. Phys. Lett., 60, 1594 (1992)
- N.H. Ky, L. Pavesi, D. Araujo, J.D. Ganiere, F.K. Reinhart. J. Appl. Phys., 69, 7585 (1991)
- G. Rajeswaran, K.B. Kahen, D.J. Lawrence. J. Appl. Phys., 69, 1359 (1991)
- C.H. Ting, G.L. Pearson. J. Electrochem. Soc., 118, 454 (1971)
- M.A. Kadhim, B. Tuck. J. Mater. Sci., 7, 68 (1972)
- L. Pavesi, D. Araujo, N.H. Ky et al. Opt. Quant. Electron. 23, S789 (1991)
- K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett., 55, 2117 (1989)
- S. Reynolds, D.W. Vook, J.F. Gibbons. J. Appl. Phys., 63, 1052 (1988)
- H.R. Winteler. Helv. Phys. Acta, 44, 451 (1970)
- U. Gosele, F. Moreyead. J. Appl. Phys., 52, 4617 (1981)
- S. Yu, T.Y. Tan, U. Gosele. J. Appl. Phys., 69, 3547 (1991)
- P. Enquist, J.A. Hutchby, T.J. DeLyon. J. Appl. Phys., 63, 4485 (1988)
- Н.Н. Григорьев, Т.А. Кудыкина. УФЖ, 33, 574 (1988)
- N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, P.M. Tomchuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 24, 276 (1992)
- P.L. Kendall, M.E. Jones. AIEEIRE Device Research Conference (Stanford, 1961)
- C.L. Pearson, M.G. Buehler, C.N. Berglund. Bull. M. Phys. Soc. St. Louis Meeting, 1963
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук