"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe/CdTe
Студеникин С.А.1, Панаев И.А.1, Костюченко В.Я.1, Торчинов Х.-М.3.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 28 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Проведено комплексное исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в скрещенных электрическом и магнитном полях на пленках CdxHg1-xTe/CdTe (x~=0.2), выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Измерения проводились при температуре жидкого азота в магнитных полях до 1 Т. Показано, что фотопроводимость в тонких пленках в обычных стационарных полях носит немонотонный характер. Развита теоретическая модель, адекватно описывающая фотомагнитный эффект и фотопроводимость в исследуемом материале. Из подгонки теории под эксперимент определены рекомбинационные параметры исследованных пленок: скорости поверхностной рекомбинации, объемное время жизни, длина диффузии и встроенное электрическое поле, обусловленное градиентом состава по толщине. Из измерений фотопроводимости в различных тянущих полях получена информация об изменении рекомбинационно-диффузионных параметров по толщине пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.