"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Поляриметрический эффект в GaPxAs1-x поверхностно-барьерных структурах
Конников С.Г.1, Мелебаев Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт Туркменской академии наук,, Ашгабад, Туркменистан
Поступила в редакцию: 20 мая 1992 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Представлены экспериментальные результаты впервые выполненных исследований фотоэлектрических процессов в поверхностно-барьерных структурах Au-n-GaPxAs1-x в линейно поляризованном излучении. Показано, что при наклонном падении излучения в структурах возникает поляриметрический эффект. Величина эффекта контролируется углом падения. Максимальный коэффициент фотоплеохроизма достигает 60-64 % и в области фоточувствительности остается практически постоянным. Для полученных структур характерна максимальная азимутальная фоточувствительность Phii=0.17-0.18 А/Вт · град, что свидетельствует о возможности их применения в поляризационной электронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.