"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированные дефекты в псевдолегированном a-Si : H
Голикова О.А.1, Икрамов Р.Г.1, Казанин М.М.1, Мездрогина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Проведены исследования свойств псевдолегированных образцов a-Si : H до и после длительного облучения светом. Первоначально положение уровня Ферми относительно края зоны проводимости в ряду исследованных образцов было: (ec-eF)300 K = 0.44-0.92 эВ. Определены закономерности увеличения концентрации оборванных связей, сдвигов eF и изменений фотопроводимости после засветки в зависимости от первоначального положения eF. Показано, что "собственный" a-Si : H, полученный методом псевдолегирования, имеет повышенную стабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.