Проведены исследования свойств псевдолегированных образцов a-Si : H до и после длительного облучения светом. Первоначально положение уровня Ферми относительно края зоны проводимости в ряду исследованных образцов было: (e_c-e_F)_{300 K} = 0.44-0.92 эВ. Определены закономерности увеличения концентрации оборванных связей, сдвигов e_F и изменений фотопроводимости после засветки в зависимости от первоначального положения e_F. Показано, что "собственный" a-Si : H, полученный методом псевдолегирования, имеет повышенную стабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.