"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние примесей переходных металлов на накопление радиационных дефектов в p-кремнии
Казакевич Л.А.1, Кузнецов В.И.1, Лугаков П.Ф.1, Салманов А.Р.1
1Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко,, Минск, Беларусь
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Изучено накопление радиационных дефектов в полученном по методу Чохральского p-кремнии (rho = 3/20 Ом·см), легированном титаном, цирконием или гафнием. Экспериментальные результаты получены из холловских измерений и анализа температурных и инжекционных зависимостей времени жизни носителей заряда. Показано, что наличие в решетке кремния примесей переходных металлов IV группы приводит к изменению эффективности введения при облучении gamma-квантами 60Co кислородо- и углеродосодержащих комплексов и скорости удаления бора из узлов. Результаты объясняются с учетом влияния полей упругих напряжений, создаваемых скоплениями атомов переходных металлов, на пространственное распределение по кристаллу фоновых примесей кислорода и углерода и миграцию подвижных радиационных дефектов при облучении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.