Исследованы механические и электрические свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN, полученных методом горячего прессования при температурах 2150-2300 K в инертной среде азота и давлении прессования 35 МПа. Показано, что в интервале концентраций 30-90 вес% AlN - кажущаяся плотность, продольная и поперечная скорости распространения ультразвуковых волн и модуль Юнга матрицы твердых растворов SiC-AlN выше, чем в исходных компонентах. Установлено, что характер температурной зависимости электропроводности определяется двумя факторами: концентрацией электрически активных примесей Al и N в решетке SiC (300-1800 K) и увеличением ширины запрещенной зоны SiC-AlN с ростом содержания нитрида алюминия. Удельное электрическое сопротивление в поликристаллических твердых растворах SiC-AlN при 300 K в зависимости от состава изменялось в пределах 10¹⁰-10¹⁵ Ом·см. Диэлектрическая проницаемость твердых растворов SiC-AlN с концентрацией более 50 вес% AlN при частоте f = 1 МГц составляла менее 30, приближаясь к значениям для чистых SiC и AlN. Делается вывод о перспективности применения керамики на основе SiC-AlN в качестве подложек для интегральных микросхем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.