"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе
Ковалев А.Н.1, Маняхин Ф.И.1, Кудряшов В.Е.2, Туркин А.Н.2, Юнович А.Э.2
1Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы. Изучались голубые и зеленые светодиоды с одиночными квантовыми ямами InGaN в течение 102/ 2· 103 ч при токах до 80 мА. Обнаружено увеличение интенсивности люминесценции при рабочих токах (15 мА) на 1-й стадии старения (100/ 800 ч) и медленное падение --- на 2-й. Наибольшие изменения спектров наблюдались при малых токах (<0.15 мА). Исследования распределения заряженных акцепторов в области пространственного заряда показали, что на 1-й стадии их концентрация растет, а на 2-й падает. Предложены модели, объясняющие две стадии старения: 1) активация акцепторов Mg вследствие разрушения остаточных комплексов Mg--H и 2) образование донорных вакансий N. Обсуждается модель подпорогового образования дефектов горячими электронами, инжектированными в квантовые ямы.1
  1. A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushima, Japan, 1997) paper P1-6, p. 46
  2. A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. Abstracts MRS Fall Meeting 1997 (Boston, USA, 1997) abstract N D17.3, p. 130
  3. А.Э. Юнович. Светотехника, N 6, 2 (1996)
  4. F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature, 386, 351 (1997)
  5. M. Osinski, P. Perlin, P.G. Eliseev, G. Liu, D. Burton. MRS Symp. Proc., 449, 179 (1997)
  6. T. Egawa, H. Ishikava, T. Jimbo, M. Umeno. MRS Symp. Proc., 449, 1191 (1997)
  7. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Japan. J. Appl. Phys., 34, pt. 2, N 10b, L1332 (1995)
  8. K.G. Zolina, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich, S. Nakamura. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 1/11 (1996)
  9. К.Г. Золина, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1055 (1997).
  10. A.E. Yunovich, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, F.I. Manyakhin, A.N. Turkin, K.G. Zolina. MRS Symp. Proc., 449, 1167 (1997).
  11. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 31, 1304 (1997)
  12. F.I. Manyakhin, A.N. Kovalev, V.E. Kudryashov, A.N. Turkin, A.E. Yunovich. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 2/11 (1997)
  13. Н.Н. Горюнов, Ф.И. Маняхин, Р.Ю. Осипов. Информ. технол. проект., N 2, 51 (1997)
  14. H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu, I. Akasaki. Japan. J. Appl. Phys., 28, L2112 (1989)
  15. S. Nakamura, T.Mukai, M. Senoch. J. Appl. Phys., 76, 8189 (1994)
  16. C.B. Vartuli, S.J. Pearton, C.R. Abernathy et al. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2523 (1996)
  17. J. Leitner, J. Steikal, P. Vonka. Mater. Lett., 28, 197 (1996)
  18. Ф.И. Маняхин. Изв. вузов, сер. Матер. электрон. техн., N 1, 63 (1997)
  19. C.G. Van De Walle, C. Stampfl, J. Neugebauer. Proc. 2nd Int. Conf. Nitride Semicond. (Tokushima, Japan, 1997) W1--1, p. 386
  20. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1981)
  21. В.С. Вавилов. УФН, 167, 4, 407 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.